خدمات شبکه و پشتیبانی شبکه

کمپانی‌های سامسونگ و TSMC در زمینه استفاده از فناوری‌های نیمه‌هادی پیشرفته در جهان پیشتاز هستند. اما طی سالیان اخیر شرکت سامسونگ به وضوح از ادامه رقابت ناتوان بوده است. در این میان تولید انبوه فرآیندهای تولید غول کره‌ای نه‌تنها به تاخیر افتاده یا کند شده است؛ بلکه کارآیی و مقیاس مشتریان سامسونگ نیز تا حد زیادی از رقبای خود عقب افتاده است.

سامسونگ ضمن برگزاری کنفرانس زیست‌محیطی Chinese IP and Custom Chip از نقشه راه خود برای فرآیند تولید جدید رونمایی کرد. این نقشه راه نشان می‌دهد که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری 3GAP تا سال 2023 آغاز نخواهد شد. با این‌حال کمپانی TSMC پیش‌تر اعلام کرده که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری اختصاصی خود را در 6 ماهه دوم سال آینده آغاز خواهد کرد.

بیانیه‌های پیشین سامسونگ نشان داد که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری این شرکت در سال 2022 آغاز خواهد شد. با این‌حال کمپانی کره‌ای در اظهارات خود به فناوری ورژن 3GAE (فرآیند 3 نانومتری Gate-all-around Early) اشاره نموده است. این ورژن اساسا نسخه اولیه یا ابتدایی فرآیند 3 نانومتری به‌شمار می‌رود. با این‌حال نقشه راه 3GAP به فرآیند 3 نانومتری Gate-all-around plus اشاره دارد. این فرآیند ورژن ارتقایافته لیتوگرافی 3 نانومتری به‌شمار رفته و طبیعتا از کارآیی بهتری برخوردار است.

آیا آخرین بیانیه صادر شده توسط سامسونگ به‌معنای لغو عرضه فرآیند 3GAE است؟ در پاسخ بایستی خاطرنشان کرد که کمپانی احتمالا تصمیم گرفته تا مستقیما به سراغ فرآیند 3GAP برود. با این‌حال سخنگوی سامسونگ بار دیگر تاکید کرد که کمپانی پیرامون فرآیند 3GAE با مشتریان خود مذاکره کرده است. بعلاوه وی ادعا می‌کند که تولید انبوه فرآیند 3GAE در سال 2022 کلید خواهد خورد.

از این منظر عزم سامسونگ برای توسعه فرآیند 3GAE کماکان محتمل‌ترین گزینه به‌نظر می‌رسد؛ اما این موضوع از جانب مشتریان خارجی پذیرفته نشده است. سامسونگ از این فرآیند به‌دلیل هزینه نسبتا بالای آن به‌صورت آزمایشی استفاده کرده و یا آن‌را در تولیدات اختصاصی خود (واحد LSI سامسونگ) به‌کار خواهد بست.

سامسونگ ادعا می‌کند که فرآیند 3GAE در مقایسه با نمونه 7LPP موجب ارتقاء حداکثر 35 درصدی کارآیی یا کاهش میزان مصرف انرژی تا سقف 50 درصد یا کاهش مساحت تراشه تا حداکثر 45 درصد خواهد شد. بعلاوه تولید این فرآیند در سریع‌ترین حالت ممکن در پایان سال 2021 آغاز می‌شد و اکنون این پنجره زمانی به سال 2022 موکول شده است. با این‌حال تولید فرآیند فوق کماکان در برنامه‌های سامسونگ تعریف شده است. شرکت سامسونگ در خصوص میزان برتری فرآیند 3GAP نسبت به 3GAE هیچ‌گونه جزئیات واضحی را ارائه نکرده است.

بعلاوه سامسونگ در نقشه راه خود به ورژن‌های جدیدی از فرآیندهای 5 و 4 نانومتری نیز اشاره نموده است. بدین‌ترتیب در کنار فرآیندهای اولیه 5LPE و 4LPE شاهد اضافه شدن فرآیندهای 5LPP و 4LPP با یکپارچگی و کارآیی بالاتر هستیم. هر 2 فرآیند فوق از لیتوگرافی EUV (ماوراءبنفش بی‌نهایت) پشتیبانی می‌کنند.

به‌نظر می‌رسد که سامسونگ برای کاهش فاصله خود با TSMC به فرآیند 3 نانومتری 3GAE احتیاج دارد. به هرحال 2 کمپانی احتمالا در زمینه به‌کارگیری فرآیند 3 نانومتری رقابت نفس‌گیری با یکدیگر خواهند داشت. بررسی نتایج ثبت شده تا به این لحظه نشان می‌دهد که کمپانی TSMC در این عرصه برتر ظاهر خواهد شد.