محققان IBM به پیشرفت مهمی در حافظه‌ها دست یافتند
برای اولین بار محققان IBM توانستند به ازای هر سلول ۳ بیت داده را با استفاده از تکنولوژی جدید با نام حافظه تغییر فاز (PCM) ذخیره کنند.
چشم‌انداز حافظه‌های کنونی از DRAM تا هارد دیسک و فلش گسترش یافته است. اما در چند سال گذشته، PCM به دلیل قابلیت خواندن/نوشتن، استقامت، ثبات و حجم، مورد توجه قرار گرفته است. به عنوان مثال، PCM بر خلاف DRAM با قطع برق اطلاعات خود را از دست نمی‌دهد. این تکنولوژی می‌تواند ۱۰ میلیون چرخه نوشتن داشته باشد! در مقام مقایسه، فلش مموری‌ها چرخه نوشتن ۳۰۰۰ بار دارند!
این پیشرفت می‌تواند حافظه سریع و آسان برای رشد نمایی داده موبایل‌ها و اینترنت اشیا را فراهم کند.
محققان IBM، این تکنولوژی را در ترکیب با حافظه‌های فلش بسیار مناسب می‌دانند. به عنوان مثال، سیستم عامل موبایل‌ها می‌تواند روی PCM ذخیره شود و به گوشی این اجازه را دهد که در عرض چند ثانیه شروع شود. در بخش تجاری می‌توان از این تکنولوژی برای ثبت اطلاعات که به زمان حساس هستند، مانند تراکنش‌های مالی، استفاده کرد.
PCM چگونه کار می‌کند؟ مواد PCM دارای دوحالت پایدار هستند: حالت بدون شکل و حالت کریستالی. حالت کریستالی دارای هدایت الکتریکی بالا و حالت بدون شکل، دارای هدایت الکتریکی پایین است. برای اینکه یک بیت در یک سلول PCM نوشته شود، می‌توان صفر را طوری برنامه‌ریزی کرد که روی حالت بی‌شکل نوشته و یکی روی حالت کریستالی، و یا کل این فرایند بر عکس می‌تواند باشد. پس می‌توان با یک ولتاژ کم، بیت را فراخوانی کرد.
محققان پیش از این توانسته بودند نشان دهند که بر روی هر سلول PCM می‌توان یک بیت ذخیره کرد. اما کار مهم محققان IBM این است که توانستند بر روی هر سلول PCM در دمای بالا و پس از یک میلیون چرخه، ۳ بیت را ذخیره کنند. دکتر هریس پوزودیس، نویسنده مقاله و رییس بخش تحقیقات حافظه IBM در زوریخ، می‌گوید: «حافظه‌های IBM با ترکیب ویژگی‌های DRAM و فلش، جوابی به یکی از مهمترین چالش‌های صنعت است. ذخیره سه بیت در هر سلول بسیار مهم است چون قیمت این نوع حافظه‌ها را به‌شدت کاهش و به قیمت حافظه‌های فلش نزدیک می‌کند.»
نوشته محققان IBM به پیشرفت مهمی در حافظه‌ها دست یافتند اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.