سامسونگ تولید تراشه‌های ۳ نانومتری را پیش از TSMC آغاز خواهد کرد
سامسونگ در آخرین جلسه توجیهی برای سرمایه‌گذاران خود اعلام کرد که بهره‌برداری از فرآیند تولید 3 نانومتری این شرکت طی چند هفته آینده آغاز خواهد شد. در صورت تحقق چنین سناریویی به‌نظر می‌رسد که روند پیشرفت سامسونگ در مقایسه با رقیب تایوانی آن یعنی TSMC سریع‌تر بوده است. با این‌حال TSMC هرگز در رابطه با رقبای خود اظهارنظر نمی‌کند. بر اساس اعلام این شرکت، تولید انبوه فرآیند تولید 3 نانومتری با معماری FinFET در 6 ماهه دوم سال 2022 آغاز خواهد شد.
تحلیل‌گران صنعت بر این باورند که اگرچه سامسونگ ادعا می‌کند که شمارش معکوس برای تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری توسط این شرکت آغاز شده است؛ اما فرآیند 3 نانومتری سامسونگ به لحاظ چگالی و عملکرد ترانزیستورها با فرآیند 5 نانومتری TSMC و فرآیند 4 نانومتری شرکت اینتل قابل مقایسه است.
فرآیند 3 نانومتری سامسونگ به لحاظ تئوری کاملا جدید به‌نظر می‌رسد؛ اما از جنبه عملی کماکان نسبت به فرآیند مورد استفاده توسط کمپانی TSMC عقب‌تر است. غول کره‌ای به سرمایه‌گذاران اطلاع داده که برای آغاز تولید فرآیند 3 نانومتری مبتنی بر معماری Gate-All-Around (GAA) در 6 ماهه نخست سال جاری میلادی به‌طور کامل آمادگی دارد. این موضوع بدان معناست که تولید انبوه فرآیند مذکور ظرف مدت 8 هفته آینده آغاز خواهد شد.
سامسونگ ادعا می‌کند که تراشه‌های تولید شده با استفاده از فرآیند 3 نانومتری جدید نسبت به فرآیند فعلی با معماری 7 نانومتری FinFET می‌توانند در محیطی با ولتاژ پایین (کمتر از 0.75 ولت) فعالیت کنند. این پدیده موجب کاهش 50 درصدی میزان مصرف کلی انرژی خواهد شد. بعلاوه فرآیند جدید موجب ارتقاء 30 درصدی عملکرد تراشه و کاهش 45 درصدی اندازه آن خواهد شد.
اگرچه فرآیند 3 نانومتری سامسونگ با فناوری 4 نانومتری TSMC قابل مقایسه است؛ اما فرآیند طراحی شده توسط غول کره‌ای به لحاظ مدیریت پهنای باند و کنترل نشتی نسبت به رقیب تایوانی عملکرد بهتری خواهد داشت. این موضوع به احتمال فراوان موجب برتری عملکردی فرآیند سامسونگ نسبت به TSMC خواهد شد.
نرخ بازدهی فرآیند 3 نانومتری شرکت سامسونگ در هاله‌ای از ابهام قرار دارد
با این‌حال نرخ بازده فرآیند 3 نانومتری سامسونگ، بزرگ‌ترین متغیر ناشناخته در مقطع کنونی به‌شمار می‌رود. فرآیند 4 نانومتری سامسونگ از نرخ بازدهی بسیار پایینی برخوردار است و این موضوع موجب می‌شود تا بخش عمده‌ای از مشتریان برای تولید تراشه‌های خود به سراغ TSMC بروند. بر اساس گزارشات صنعتی، نرخ بازده فرآیند 3 نانومتری سامسونگ تنها در حدود 10 درصد است؛ اما این موضوع از جانب سامسونگ مورد تائید قرار نگرفته است.
دست‌اندرکاران حوزه صنعت بر این باورند که شرکت‌های اپل، انویدیا، AMD، کوالکام، اینتل و مدیاتک از جمله مشتریان اصلی TSMC در مرحله اولیه تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری محسوب می‌شوند. این تراشه‌ها به منظور انجام محاسبات پرسرعت، تامین توان پردازشی اسمارت‌فون‌ها و سایر حوزه‌های کاری مورد استفاده قرار می‌گیرند.
TSMC ادعا می‌کند که پس از تولید انبوه تراشه‌های 3 نانومتری در 6 ماهه دوم سال جاری میلادی، این شرکت در زمینه فناوری ترانزیستور و فاکتورهای PPA (عملکرد، بهره‌وری انرژی و اندازه تراشه) به بازیگر برتر میدان تبدیل خواهد شد. همچنین فرآیند مورد استفاده توسط این شرکت از نرخ بازدهی مناسبی برخوردار خواهد بود. بنابراین غول تایوانی اطمینان دارد که فرآیند 3 نانومتری این شرکت کماکان اعتماد مشتریان را جلب خواهد کرد.
بعلاوه TSMC طراحی و توسعه فرآیند پیشرفته‌تر 2 نانومتری را نیز آغاز کرده است. بر اساس پیش‌بینی‌ها تولید آزمایشی ریسک برای این فرآیند در سال 2024 آغاز خواهد شد. بعلاوه هدف‌گذاری انجام شده از تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری در سال 2025 حکایت دارد. کارشناسان امیدوارند که فرآیند 2 نانومتری به فناوری پیشرو در صنعت و بهترین تکنولوژی جهت حمایت از رشد مشتریان تبدیل شود.
نوشته سامسونگ تولید تراشه‌های 3 نانومتری را پیش از TSMC آغاز خواهد کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.