احتمال جریمه ۱.۲ میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی
ماه گذشته سامسونگ به دلیل نقض تعدادی از پتنت‌های شرکت اپل در رابطه با طراحی گوشی‌های آی‌فون به پرداخت جریمه ۵۳۸.۶ میلیون دلاری به غول آمریکایی محکوم شد. اکنون سامسونگ به دلیل دست‌اندازی به حق مالکیت معنوی یک شرکت دیگر بدون اخذ مجوز، بار دیگر مورد تنبیه قرار گرفته است.
در حقیقت، شاخه آمریکایی دایره صدور مجوز از دانشگاه کره جنوبی این پرونده را مطرح کرد و در نتیجه بر اساس اعلام دادگاه فدرال، کمپانی سامسونگ اقدام به نقض پتنت آمریکایی دربردارنده فناوری FinFET نموده است.
مبلغ بدهی سامسونگ به موسسه KAIST IP US (موسسه عالی علم و فناوری کره) برابر با ۴۰۰ میلیون دلار است؛ زیرا بر اساس اعلام دادگاه، سامسونگ صریحا حق ثبت اختراع را نقض نموده است. هیئت منصفه با وضع جریمه ۳ برابری معادل ۱.۲ میلیارد دلار می‌تواند خسارتی مضاعف را بر غول کره‌ای تحمیل نماید. علاوه بر سامسونگ، شرکت‌های کوالکام و GlobalFoundries نیز همین پتنت را نقض کرده بودند. با این وجود هر ۲ کمپانی با توجه به عدم محکومیت، از پرداخت خسارت طفره رفتند.
FinFET یک ترانزیستور است که در طراحی پردازنده‌هایی با شکل الکترودهای گیت نظیر fin مورد استفاده قرار می‌گیرد و وجه تسمیه معماری مذکور نیز به همین مسئله باز می‌گردد. تکنولوژی FinFET امکان بازگشایی چندین درگاه روی یک ترانزیستور منفرد، کارایی مناسب‌تر و مصرف پایین‌تر انرژی روی تراشه‌های کوچک‌تر را فراهم می‌کند.
به گفته شاکی، در ابتدا تب سامسونگ جهت استفاده از فناوری FinFET فروکش کرد؛ اما بر اساس اظهارات پرونده با بهره‌گیری اینتل از فناوری مذکور در تراشه‌های ساخت خود، سامسونگ نیز ذهنیت سابقش را تغییر داد.
سامسونگ اتهام نقض پتنت را رد و اعلام کرده که برای توسعه فناوری FinFET با دانشگاه همکاری نموده است. غول تکنولوژی معتقد است که پتنت مذکور نامعتبر بوده و حق درخواست تجدیدنظر را برای خود محفوظ می‌داند.
نوشته احتمال جریمه ۱.۲ میلیارد دلاری سامسونگ برای تخلف در فناوری تراشه‌های موبایلی اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.