مشخصات احتمالی تراشه پرچمدار Dimensity 9200 شرکت مدیاتک اعلام شد

سال گذشته شرکت مدیاتک نخستین تراشه مبتنی بر فرآیند تولید 4 نانومتری TSMC را روانه بازار کرد. این محصول یکی از نخستین تراشه‌هایی بود که از هسته پردازشی ARM Cortex-X2 با عملکرد بالا استفاده می‌کرد. با توجه به اینکه تا فرا رسیدن ماه نوامبر زمان چندانی باقی نمانده است؛ بنابراین پیش‌بینی معرفی نسل جدید تراشه پرچم‌دار شرکت مدیاتک امری منطقی به‌نظر می‌رسد.

بر اساس اعلام یک افشاگر قابل اعتماد، مدیاتک در تدارک عرضه تراشه Dimensity 9200 با هسته پردازشی ARM Cortex-X3 طی ماه آینده است. این تراشه نویدبخش ارتقاء 25 درصدی عملکرد نسبت به مدل نسل قبلی خود خواهد بود. همچنین انتظار می‌رود که این تراشه از GPU جدیدی تحت عنوان Immortalis G715 بهره‌برداری نماید. این موضوع به ارتقاء هرچه بیش‌تر توانایی‌های عملکردی تراشه کمک خواهد کرد.

این تراشه بر پایه فرآیند 4 نانومتری کمپانی TSMC تولید شده و احتمالا همانند مدل پیشین از هسته‌های پردازشی کورتکس A710 و کورتکس A510 بهره خواهد برد. بر اساس پیش‌بینی‌ها تراشه Dimensity 9200 بسیار زودتر از مدل نسل قبلی خود در هندست‌های مختلف به‌کارگیری خواهد شد. در همین راستا انتظار می‌رود که تولیدات اوپو و ویوو مجهز به تراشه Dimensity 9200 طی ماه دسامبر 2022 روانه بازار شوند.

نوشته مشخصات احتمالی تراشه پرچمدار Dimensity 9200 شرکت مدیاتک اعلام شد اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

جنگ تراشه میان ایالات‌متحده و چین آغاز شده است

به‌نظر می‌رسد که جنگ تراشه میان کشورهای چین و ایالات‌متحده از هفته گذشته تشدید و وارد مرحله جدیدی از تنش شده است. بر اساس گزارش رسانه‌ها، وزارت بازرگانی آمریکا تحریم‌ها را تا حدی تقویت کرده که به باور کارشناسان، صنعت نیمه‌هادی چین به شدت دچار آسیب خواهد شد. این تحریم مشابه اقداماتی است که پیش‌تر در سال 2019 علیه شرکت هواوی به اجرا گذاشته شد.

دفتر صنعت و امنیت (BSI) خبر تحریم‌های شدید ایالات‌متحده را اعلام می‌کند. بر این اساس صنعت تراشه چین به شدت آسیب دیده و شرکت‌های سامسونگ و TSMC مجوز معافیت برای مدت 1 سال را دریافت خواهند کرد. بدین‌ترتیب ایالات‌متحده تحریم‌های شدیدی را علیه صنعت نیمه‌هادی چین اعمال خواهد کرد.

اکنون همه وقایع سال 2019 را به خاطر دارند. در آن زمان دونالد ترامپ؛ رئیس‌جمهور وقت ایالات‌متحده اقداماتی را علیه کمپانی چینی تولیدکننده اسمارت‌فون با نام هواوی به مرحله اجرا گذاشت. در آن زمان هواوی به‌عنوان یک شرکت بسیار موفق در عرصه جهانی شناخته می‌شد. از آن زمان تا به امروز، اسمارت‌فون‌های عرضه شده توسط هواوی در بازارهای غربی فاقد اتصال 5G بوده و دسترسی به سرویس‌های موبایلی گوگل (GMS) نیز با محدودیت‌های بسیار شدیدی مواجه است.

با این‌حال اکنون به‌نظر می‌رسد که سناریوی ویران‌کننده‌تری در راه است؛ چرا که بر اساس گزارش رسانه‌ای منتشر شده توسط پایگاه Computer Base، تحریم‌های اخیرا صادر شده توسط دفتر صنعت و امنیت ایالات‌متحده (BSI) می‌توانند کل صنعت تراشه چین را در معرض خطر قرار دهند. به بیان دقیق‌تر، کنترل‌های صادراتی جدید در روز 7 اکتبر (15 مهر ماه) منتشر شده و تحریم‌های ایالات‌متحده از روز 12 اکتبر (20 مهر ماه) به مرحله اجرا گذاشته شدند. به بیان ساده‌تر این موضوع بدان معناست که با اجرای فوری این تحریم‌ها، استفاده از فناوری‌های آمریکایی برای تولید تراشه‌هایی با لیتوگرافی کمتر از 16 نانومتری امکان‌پذیر نخواهد بود.

این تحریم‌ها هم بر مقوله سخت‌افزار (مانند ابزارهای تولیدی) و هم نرم‌افزار تاثیرگذار هستند. در این مورد، سیستم‌های نورپردازی EUV و اسکنرهای DUV ساخت آمریکا نقشی کلیدی را ایفا می‌کنند. تراشه‌های حافظه NAND و DRAM نیز تحت تاثیر قرار می‌گیرند. در تولید این حافظه‌ها از لیتوگرافی 18 نانومتری و ساختار 128 لایه‌ای استفاده می‌شود. بعلاوه اکنون شهروندان آمریکایی از مشارکت در توسعه یا ساخت کارخانجات چینی تولیدکننده نیمه‌هادی منع شده‌اند. عدم رعایت این قوانین موجب لغو تابعیت ایالات‌متحده خواهد شد. بر اساس اعلام نشریه South China Morning Post در حال حاضر مهندسان آمریکایی به‌طور دسته‌جمعی در حال ترک خاک چین هستند.

بزرگ‌ترین شرکت تایوانی تولیدکننده تراشه در جهان موسوم به TSMC، شرکت بین‌المللی تولید نیمه‌هادی با نام SMIC، سامسونگ و SK Hynix نیز تحت تاثیر تحریم‌های جدید قرار گرفته‌اند. با این‌حال شرکت‌های TSMC و سامسونگ مجوز معافیت موقت را دریافت نموده‌اند و این معافیت برای مدت 1 سال اعتبار دارد.

آمریکا اعمال تحریم علیه صنعت تراشه چین را با بهانه امنیت ملی خود توجیه می‌کند

ایالات‌متحده این‌بار نیز در توضیح دلایل اعمال تحریم‌های شدید علیه چین به تهدید امنیت ملی خود اشاره نموده است؛ موضوعی که در زمان اعمال تحریم علیه هواوی نیز به آن اشاره شد. در همین راستا معاون وزارت خارجه آمریکا ضمن توضیحاتی خاطرنشان کرد: “همان‌طور که من در ماه جولای به کنگره اعلام کردم؛ هدف ما در دفتر صنعت و امنیت این است که از به‌کارگیری تمام توان خود برای محافظت از امنیت ملی آمریکا و جلوگیری از دسترسی ارتش و سرویس‌های اطلاعاتی و امنیتی جمهوری خلق چین به فناوری‌های حساس با مقاصد نظامی اطمینان حاصل کنیم.”

جهت اطلاع افرادی که تاکنون تصور می‌کردند تحریم هواوی یکی از تصمیمات نابه‌جای دونالد ترامپ بوده است؛ بایستی خاطرنشان کرد که جو بایدن؛ رئیس‌جمهور فعلی آمریکا نیز از ایدئولوژی مشابهی پیروی می‌کند. بر اساس اظهارات وی به‌نظر می‌رسد که دولت آمریکا در حال برنامه‌ریزی برای تولید تراشه‌هایی است که ساخت آنها در خاک آمریکا آغاز شده و در همان‌جا نیز به پایان می‌رسد.

شما در خصوص تحریم‌های جدید آمریکا علیه صنعت تراشه چین چه نظری دارید؟ به‌نظر شما آیا جنگ تراشه‌ها نهایتا تبعات معکوسی را برای ایالات‌متحده به‌دنبال داشته یا جایگاه مستحکم آمریکا در عرصه بین‌المللی ایجاب می‌کند که دولت این کشور با اجرای چنین اقداماتی، قدرت خود را به رخ سایرین بکشد؟

نوشته جنگ تراشه میان ایالات‌متحده و چین آغاز شده است اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

تمایل شرکت اینتل به ساخت تراشه‌های ای‌ام‌دی، کوالکام و اپل

پت گلسینگر؛ مدیرعامل اینتل در جریان یک مصاحبه اعلام کرد که این شرکت از دریافت سفارشات تولید نیمه‌هادی‌های طراحی شده توسط AMD در کارخانه جدید خود واقع در ایالت اوهایو استقبال خواهد کرد.

وی گفت: “چنان‌چه آنها تصمیم بگیرند که محصولات خود را در کارخانجات ما تولید نمایند؛ در این‌صورت خوشحال می‌شوم که چنین کاری را انجام دهم. این تصمیم در چنین سطحی از توسعه کسب‌وکار ما امری صحیح به‌شمار می‌رود. چنین سفارشاتی به منزله سرمایه‌گذاری‌های بزرگ بوده و برای فناوری ما حائز اهمیت هستند. این موضوع به رشد جوامع تکنولوژی کمک می‌کند.”

مدیرعامل اینتل در رابطه با دریافت سفارشات از انویدیا نیز اظهارات کاملا مشابهی را مطرح کرد. این شرکت اکنون یکی از رقبای اینتل نیز محسوب می‌شود. اگرچه حضور اینتل در بازار کارت‌های گرافیکی چندان قابل توجه نبوده و این شرکت صرفا در تلاش برای ورود به چنین عرصه‌ای است.

همچنین پت گلسینگر خاطرنشان می‌کند که اینتل برای تبدیل شدن به یک شرکت تولیدکننده برتر در سطح جهانی همراه با کارخانجات پیشرفته جهت پاسخگویی به نیازمندی‌های مشتریان خود کاملا متعهد است. جهت یادآوری بایستی خاطرنشان کرد که اینتل از مدت‌ها قبل پردازنده‌های بومی خود را شخصا تولید می‌کند.

اما این شرکت طی سال گذشته و در راستای بازبینی سیاست‌های خود اعلام کرد که اکنون به‌عنوان یک تولیدکننده نیمه‌هادی برای سایر شرکت‌ها نیز فعالیت خواهد کرد. اینتل در این حوزه بایستی با رقبایی نظیر سامسونگ و TSMC رقابت کند. این شرکت آمریکایی به‌دنبال جذب سفارش از کوالکام و اپل در آینده‌ای نزدیک است.

نوشته تمایل شرکت اینتل به ساخت تراشه‌های ای‌ام‌دی، کوالکام و اپل اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

جنگ تراشه‌های پرچمدار؛ مقایسه تراشه تنسور ۲ گوگل با اسنپ‌دراگون ۸ نسل ۱ کوالکام و A16 اپل

سری پیکسل 7 گوگل با جدیدترین تراشه بومی این شرکت موسوم به تنسور 2 روانه بازار می‌شود. اکنون می‌دانیم که این تراشه با استفاده از فرآیند 5 نانومتری تولید شده است؛ در حالی‌که تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 مورد استفاده در سامسونگ گلکسی S22 اولترا از معماری 4 نانومتری استفاده می‌کند.

با این‌حال اختلاف عملکرد میان این 2 گره فرآیندی جدید بسیار ناچیز است؛ تا جایی که حتی TSMC نیز فرآیند 4 نانومتری خود موسوم به N4P را گونه پیشرفته گره 5 نانومتری معرفی کرده و ادعا می‌کند که کارآیی آن در مقایسه با لیتوگرافی 5 نانومتری معمول تنها 11 درصد افزایش یافته است.

با این‌حال اکنون این پرسش در ذهن مطرح می‌شود که عملکرد تراشه تنسور 2 در برابر نسخه اولیه تنسور، تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 کوالکام و تراشه A16 مورد استفاده در آی‌فون 14 پرو مکس اپل به چه ترتیب خواهد بود؟ کارشناسان وبسایت ‌Phonearena برای پاسخ به این پرسش دست به‌کار شده و مجموعه‌ای از تست‌های بنچمارک را روی تراشه‌های فوق اجرا نموده‌اند. نتایج تست عملکرد برای تراشه‌‌های تنسور 2، تنسور 1، اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 و Apple A16 در ادامه قابل رویت است.

مطابق پیش‌بینی‌ها تراشه 4 نانومتری A16 اپل در زمینه تست پردازش تک هسته‌ای و چندهسته‌ای CPU بسیار جلوتر از سایر رقبای خود است؛ چرا که چیپست بومی اپل مطابق روال معمول از سرعت فرکانس بسیار بالایی برخوردار است. تراشه جدید تنسور 2 در تمامی حوزه‌ها نسبت به نخستین نسل تراشه تنسور سریع‌تر عمل می‌کند. بعلاوه این تراشه در برخی حوزه‌ها با تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 رقابتی شانه به شانه داشته و حتی در برخی سناریوها تراشه پرچم‌دار کوالکام را شکست می‌دهد.

از جنبه عملکرد سیستم گرافیکی نیز تراشه تنسور 2 در برابر تراشه‌های کوالکام و اپل به خوبی ایستادگی می‌کند. همچنین از جنبه سرعت مرور نیز تراشه جدید گوگل عملکردی کاملا تحسین‌برانگیز از خود ارائه می‌دهد. گوگل در توصیف دومین نسل از تراشه بومی تنسور خود خاطرنشان کرد: “تمامی جنبه‌های تراشه تنسور G2 برای بهبود عملکرد و کارآیی دستگاه‌های پیکسل و در عین‌حال تضمین شارژدهی فوق‌العاده باتری طراحی شده‌اند.

تراشه تنسور G2 مدل‌های یادگیری ماشینی گوگل را با قدرت بالاتر و تاخیر کمتری اجرا نموده و دستگاه‌های پیکسلی را از هر زمان دیگری سریع‌تر و مفیدتر می‌کند. پردازنده گرافیکی تراشه تنسور G2 به شیوه‌ای کارآمدتر عمل نموده و به منظور خلق جلوه‌های گرافیکی خیره‌کننده و روان از قابلیت رندر بلادرنگ پشتیبانی می‌کند.”

گوگل پیکسل 7 در تمامی تست‌ها عملکردی درخشان از خود نشان داد و به لطف ارائه عملکرد باثبات موفق به کسب امتیازی بالا در تست استرس رندر سه‌بعدی شد. در طول اجرای تست 20 دقیقه‌ای پایداری عملکرد، دمای این تراشه تا حد بسیار زیادی افزایش یافت؛ اما این موضوع در سایر تراشه‌های رقیب نیز مشاهده شد.

جمع‌بندی

به‌طور خلاصه با وجود تراشه تنسور 2 گوگل، کاربران حتی در بخش گرافیک نیز ابدا احساس ضعف نخواهند کرد. پایداری تحسین‌برانگیز این تراشه در شرایط پر استرس بدان معناست که گوشی‌های پیکسل 7 یا پیکسل 7 پرو از قابلیت مدیریت حرارتی بهتر و مصرف انرژی مطلوب‌تری برخوردار خواهند بود. این پدیده نهایتا به افزایش مدت شارژدهی باتری در هندست‌های فوق کمک خواهد کرد. این دقیقا همان چیزی است که گوگل ضمن معرفی گوشی‌های سال 2022 خود وعده داده بود.

نوشته جنگ تراشه‌های پرچمدار؛ مقایسه تراشه تنسور 2 گوگل با اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 کوالکام و A16 اپل اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

مدیاتک از تراشه قدرتمند Dimensity 1080 5G رسما رونمایی کرد

امروز شرکت مدیاتک از تراشه جدید خود با نام Dimensity 1080 5G برای اسمارت‌فون‌ها رونمایی کرد. تفاوت‌های این تراشه با مدل پیش‌تر عرضه شده Dimensity 1080 به استفاده از پردازنده تصویر جدید و در نتیجه پشتیبانی بهتر از سنسورهای تصویربرداری مربوط می‌شود. بنابراین اگرچه مدل استاندارد Dimensity 1080 از سنسورهایی با رزولوشن 108 مگاپیکسل پشتیبانی می‌کند؛ اما اکنون تراشه Dimensity 1080 5G از حسگرهای دوربین 200 مگاپیکسلی پشتیبانی خواهد کرد. بعلاوه تراشه جدید از دوربین‌های چهارگانه و قابلیت فیلم‌برداری 4K HDR نیز پشتیبانی می‌کند.

پردازنده مرکزی مورد استفاده در تراشه Dimensity 1080 5G مجهز به 2 هسته Arm Cortex-A78 با فرکانس 2.6 گیگاهرتز و 6 هسته Arm Cortex-A55 با فرکانس 2.0 گیگاهرتز است. پردازنده گرافیکی نیز از نوع Arm Mali-G68 است. این تراشه از رم LPDDR5 و حافظه داخلی UFS 3.1 پشتیبانی می‌کند. همچنین Dimensity 1080 5G با استفاده از فرآیند 6 نانومتری کمپانی TSMC تولید شده است.

بر اساس پیش‌بینی‌ها نخستین اسمارت‌فون‌های مجهز به تراشه Dimensity 1080 5G در 3 ماهه چهارم سال 2022 روانه بازار می‌شوند. بر اساس اظهارات یک افشاگر مشهور و معتبر با شناسه Digital Chat Station، اولین اسمارت‌فون مجهز به این تراشه جدید توسط کمپانی شیائومی تولید و عرضه خواهد شد. اما اکنون این پرسش مطرح می‌شود که نام تجاری هندست مذکور چه خواهد بود؟

بر اساس اعلام یک منبع آگاه، فروش اسمارت‌فون شیائومی مجهز به تراشه Dimensity 1080 5G از روز 11 نوامبر (20 آبان ماه) آغاز شده و گجت مذکور پیش از این تاریخ معرفی خواهد شد. با توجه به اطلاعات پیش‌تر لو رفته به‌نظر می‌رسد که این هندست همان ردمی نوت 12 خواهد بود. لو ویبینگ؛ ریاست برند ردمی پیش از این به عرضه قریب‌الوقوع ردمی نوت 12 اشاره کرده بود.

ردمی نوت 12 به‌‌عنوان جانشین ردمی نوت 11 عرضه شده و بی‌تردید مجهز به دوربین‌هایی با کیفیت بالاتر خواهد بود.

بعلاوه Digital Chat Station می‌افزاید که تراشه جدید در تست بنچمارک AnTuTu موفق به کسب امتیاز 520 هزار شده است. این رقم تقریبا همتراز با امتیاز کسب شده توسط تراشه اسنپ‌دراگون 778G ساخت کوالکام است. پیش از این، Digital Chat Station نخستین فردی بود که مشخصات و زمان عرضه اسمارت‌فون‌های ردمی K30، ردمی K40، شیائومی Mi 10 و شیائومی Mi 11 را به‌طور دقیق اعلام کرد.

نوشته مدیاتک از تراشه قدرتمند Dimensity 1080 5G رسما رونمایی کرد اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

سامسونگ به‌دنبال تولید تراشه‌های ۱٫۴ نانومتری تا سال ۲۰۲۷ است

شرکت Samsung Foundry دومین تولیدکننده بزرگ تراشه‌‌های نیمه‌هادی در جهان به‌شمار می‌رود. این شرکت ضمن برگزاری رویداد Samsung Foundry Forum 2022 اعلام کرد که به تلاش‌های خود برای کاهش اندازه، افزایش سرعت و ارتقاء بهره‌وری تراشه‌های نیمه‌هادی ادامه خواهد داد. در همین راستا کمپانی کره‌ای به تشریح برنامه‌های خود برای تولید تراشه‌های 2 و 1.4 نانومتری پرداخت.

با این‌حال ابتدا پیرامون تراشه‌های 3 نانومتری ساخت سامسونگ صحبت می‌کنیم. Samsung Foundry از چند ماه قبل تولید انبوه نخستین تراشه‌های 3 نانومتری جهان (SF3E) با فناوری Gate-All-Around (GAA) را آغاز کرد. GAA محصول نوعی بازنگری اساسی در طراحی پایه ترانزیستور است؛ فرآیندی که تنها هر چند سال یکبار انجام می‌شود. بر اساس اعلام سامسونگ استفاده از این فناوری نویدبخش بهبود چشمگیر میزان بهره‌وری انرژی خواهد بود. سامسونگ قصد دارد که تا سال 2024 از دومین نسل تراشه‌های نیمه‌هادی 3 نانومتری موسوم به SF3 رونمایی کند.

بر اساس اعلام کمپانی کره‌ای اندازه ترانزیستورهای مورد استفاده در دومین نسل از تراشه‌های 3 نانومتری در مقایسه با تراشه‌های 3 نانومتری نسل اول 20 درصد کوچک‌تر خواهد بود. این موضوع موجب تولید تراشه‌های کوچک‌تر و کم‌مصرف‌تر برای اسمارت‌فون‌ها، کامپیوترهای شخصی، سرورهای ابری و ابزارهای پوشیدنی خواهد شد.

سامسونگ با استفاده از فرآیند +SF3P خود قصد دارد تا فناوری ساخت تراشه‌های 3 نانومتری را بهبود بخشیده و تولید انبوه تراشه‌های خود را در سال 2025 آغاز نماید. این شرکت پیش‌تر توانایی خود برای تولید انبوه تراشه‌ با معماری GAA را به اثبات رسانده و دومین و سومین نسل از تراشه‌های GAA می‌توانند نظر برخی مشتریان بزرگ را به خود جلب نمایند. طی چند سال گذشته، سامسونگ تعداد زیادی از مشتریان خود از جمله اپل، AMD، انویدیا و کوالکام را از دست داده و اکنون این شرکت‌ها عمدتا سفارشات تولید تراشه‌های خود را به کمپانی تایوانی TSMC واگذار می‌کنند.

همچنین سامسونگ از تصمیم خود برای آغاز تولید تراشه‌های 2 نانومتری تا سال 2025 خبر داده است. در آن زمان کمپانی کره‌ای به منظور تامین انرژی مورد نیاز تراشه‌ها از تکنیک برق‌رسانی پشتی استفاده خواهد کرد. تغذیه ترانزیستورها و برقراری ارتباط میان آنها به‌طور معمول تنها از یک سمت تراشه نیمه‌هادی انجام می‌شود. با وجود فناوری جدید برق‌رسانی از پشت، ارتباطات و تحویل انرژی از 2 طرف یک تراشه انجام خواهد شد. این موضوع عملکرد کلی تراشه را بهبود خواهد داد. از سوی دیگر اینتل نیز قصد دارد که تا سال 2024 قابلیت مشابهی موسوم به PowerVia را به تراشه‌های خود بیاورد.

Samsung Foundry تولید تراشه‌های 2 نانومتری را در سال 2025 و ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را در سال 2027 آغاز خواهد کرد

بعلاوه Samsung Foundry گره فرآیندی جدید 1.4 نانومتری موسوم به SF1.4 را به برنامه‌های تولید نیمه‌هادی خود اضافه نموده است. این شرکت به‌دنبال آغاز تولید انبوه تراشه‌های 1.4 نانومتری تا سال 2027 است. کمپانی کره‌ای در رابطه با پیشرفت‌های احتمالی تراشه‌های 1.4 نانومتری هنوز هیچ توضیحی ارائه نداده است. با این‌حال عرضه چنین تراشه‌هایی به وضوح نشان می‌دهد که قانون مور کماکان به حیات خود ادامه می‌دهد؛ اگرچه سرعت پیشرفت آن در مقایسه با گذشته کندتر خواهد بود.

دومین و سومین نسل از تراشه‌های 3 نانومتری GAA سامسونگ مجهز به ترانزیستورهایی با اندازه کوچک‌تر و بهره‌وری بهتر هستند.

همچنین سامسونگ سرگرم بهبود فناوری پکیجینگ یکپارچه ناهمگن 2.5D و 3D خود است. تکنیک پکیجینگ سه‌بعدی X-Cube سامسونگ با اتصال میانی micro-bump در سال 2024 قابل دسترس خواهد بود؛ در حالی‌که فناوری 3D X-Cube بدون bump در سال 2026 عرضه خواهد شد. همچنین سامسونگ قصد دارد تا ظرفیت تولید تراشه‌های خود تا سال 2027 را در مقایسه با سال 2022 تا 3 برابر افزایش دهد.

سامسونگ بر بازارهای اتومبیل و ارتباطات 5G و 6G نیز تمرکز نموده است

بر اساس پیش‌بینی‌ها سامسونگ به‌دنبال کسب سهم 50 درصدی از تراشه‌های مورد نیاز بازارهای خودرو، محاسبات با عملکرد بالا (HPC)، اینترنت اشیاء و دستگاه‌های 5G است. کمپانی کره‌ای برای تولید تراشه‌های مورد نیاز در صنعت اتومبیل و دستگاه‌های HPC از فرآیندهای 4 نانومتری ارتقایافته استفاده خواهد کرد. در حال حاضر این شرکت سرگرم تولید تراشه‌های 28 نانومتری eNVM برای مشتریان خودروساز خود است. با این‌حال سامسونگ در صدد تولید تراشه‌های eNVM پیشرفته‌تر با استفاده از فرآیند 14 نانومتری طی سال 2024 و عرضه نمونه‌های 8 نانومتری در آینده‌ای دورتر است.

در حال حاضر سامسونگ سرگرم تولید تراشه‌های رادیو فرکانسی (RF) 8 نانومتری برای استفاده در صنعت مخابرات است. همچنین تراشه‌های 5 نانومتری RF در دست توسعه بوده و احتمالا به‌زودی روانه بازار خواهند شد. از سوی دیگر سامسونگ در حال برنامه‌ریزی برای ایجاد اتاق‌های ایزوله در کارخانجات تولید نیمه‌هادی خود است. وجود این اتاق‌ها، ذخیره‌سازی تراشه‌های مونتاژ شده را تسهیل نموده و بدین‌ترتیب کمپانی در مواقع افزایش تقاضا قادر به استفاده از آنها خواهد بود.

نوشته سامسونگ به‌دنبال تولید تراشه‌های 1.4 نانومتری تا سال 2027 است اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون ۷ نسل ۲ کوالکام اعلام شد

تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 در اوایل سال جاری معرفی شد و تاکنون در چندین اسمارت‌فون مختلف مورد استفاده قرار گرفته است. اکنون کوالکام روی توسعه پردازنده‌ای با شماره مدل SM7475 کار می‌کند. جایگاه این تراشه در خانواده اسنپ‌دراگون روشن نیست. با این‌حال بر اساس اظهارات یک افشاگر مشهور با نام رولاند کوانت انتظار می‌رود که این تراشه با نام اسنپ‌دراگون 7 نسل 2 روانه بازار شود.

همچنین تراشه SM7475 می‌تواند با نام تجاری اسنپ‌دراگون 7 پلاس نسل 1 عرضه شود؛ سناریویی که پیش‌تر برای تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 به‌عنوان ورژن ارتقایافته اسنپ‌دراگون 8 نسل 1 نیز رویت شد. بر اساس شنیده‌ها CPU تراشه جدید از طراحی 3 خوشه‌ای شامل 1 هسته اصلی، 3 هسته طلایی و 4 هسته نقره‌ای بهره خواهد برد.

هسته اصلی با فرکانس 2.4 گیگاهرتز عمل خواهد کرد؛ در حالی‌که هسته‌های طلایی نیز احتمالا از حداکثر فرکانس مشابهی برخوردار خواهند بود. هسته‌های نقره‌ای نیز با فرکانس 1.8 گیگاهرتز فعالیت خواهند کرد. به‌نظر می‌رسد که این ارقام کاملا مشابه با مشخصات تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 هستند. در حال حاضر پیرامون مشخصات سخت‌افزاری تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 2 هیچ‌گونه جزئیاتی در دست نیست.

انتظار می‌رود که این تراشه جدید مجهز به هسته‌های پردازشی با طراحی متفاوت و جدید باشد. این موضوع بدان معناست که کوالکام در عوض به‌کارگیری هسته‌های کورتکس A710 و A510 موجود در تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 از مدل کورتکس A715 به‌عنوان هسته اصلی و کورتکس A510 به‌عنوان هسته نقره‌ای استفاده خواهد کرد. تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 2 احتمالا از جنبه عملکردی شاهد پیشرفت کوچکی خواهد بود؛ اما بهره‌وری انرژی آن به میزان قابل‌توجهی بهبود خواهد یافت.

رویداد آینده Snapdragon Summit کوالکام طی ماه آینده برگزار می‌شود و بر اساس پیش‌بینی‌ها کمپانی آمریکایی طی این مراسم از تراشه اسنپ‌دراگون 8 نسل 2 رونمایی خواهد کرد. بنابراین در آن زمان احتمالا شاهد انتشار جزئیاتی پیرامون تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 2 خواهیم بود.

نوشته مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 2 کوالکام اعلام شد اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون ۷ پلاس نسل ۱ کوالکام اعلام شد

کوالکام سرگرم آماده‌سازی یک پلتفرم منحصربه‌فرد برای محصولات میان‌رده است. این تراشه اسنپ‌دراگون 7 پلاس نسل 1 نامگذاری شده و از CPU با طراحی 3 خوشه‌ای استفاده خواهد کرد. به بیان دقیق‌تر این تراشه نخستین نیمه‌هادی از سری 7 اسنپ‌دراگون با طراحی 3 خوشه‌ای برای CPU به‌شمار می‌رود.

یک دست‌اندرکار حوزه صنعت با نام رولاند کوانت ادعا کرده که این تراشه از 1 هسته اصلی، 3 هسته بزرگ و 4 هسته پردازشی کوچک تشکیل خواهد شد. خوشه‌های اول و دوم با فرکانس 2.4 گیگاهرتزی فعالیت خواهند کرد؛ در حالی‌که خوشه سوم از فرکانس 1.8 گیگاهرتزی برخوردار خواهد بود. نام این هسته‌ها هنوز اعلام نشده است؛ اما تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 از هسته‌های پردازشی کورتکس A710 و کورتکس A510 استفاده می‌کند. بنابراین پلتفرم به‌روزرسانی شده نیز احتمالا از هسته‌های مشابهی استفاده خواهد کرد.

با این‌حال ابهامات در خصوص ماهیت خوشه تک هسته‌ای کماکان به قوت خود باقی هستند. با توجه به کلاس این پلتفرم، هسته پردازشی مورد اشاره احتمالا از نوع کورتکس A710 یا نمونه جدیدتر کورتکس A715 خواهد بود.

به هرحال شایان به ذکر است که هم‌اکنون عملا هیچ یک از اسمارت‌فون‌های موجود در بازار از تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 استفاده نمی‌کنند و دلیل این موضوع نیز هنوز مشخص نیست. در حال حاضر روشن نیست که تراشه جدید در چه حوزه‌هایی ارتقاء خواهد یافت. بنابراین کلیه موارد اعلام شده صرفا در حد گمانه‌زنی هستند.

رولاند کوانت پیش‌تر و قبل از معرفی رسمی دوربین‌های GoPro 9 Black و GoPro 10 Black مشخصات و قیمت‌گذاری آنها را به‌طور کامل تشریح کرد. همچنین وی پیش‌تر رندرهای دقیقی از اسمارت‌فون‌های مختلف از جمله نوکیا G21، شیائومی Mi A3، شیائومی Mi 9T و سامسونگ گلکسی زد فولد 4 را منتشر نموده است.

نوشته مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون 7 پلاس نسل 1 کوالکام اعلام شد اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون ۷ پلاس نسل ۱ کوالکام اعلام شد

کوالکام سرگرم آماده‌سازی یک پلتفرم منحصربه‌فرد برای محصولات میان‌رده است. این تراشه اسنپ‌دراگون 7 پلاس نسل 1 نامگذاری شده و از CPU با طراحی 3 خوشه‌ای استفاده خواهد کرد. به بیان دقیق‌تر این تراشه نخستین نیمه‌هادی از سری 7 اسنپ‌دراگون با طراحی 3 خوشه‌ای برای CPU به‌شمار می‌رود.

یک دست‌اندرکار حوزه صنعت با نام رولاند کوانت ادعا کرده که این تراشه از 1 هسته اصلی، 3 هسته بزرگ و 4 هسته پردازشی کوچک تشکیل خواهد شد. خوشه‌های اول و دوم با فرکانس 2.4 گیگاهرتزی فعالیت خواهند کرد؛ در حالی‌که خوشه سوم از فرکانس 1.8 گیگاهرتزی برخوردار خواهد بود. نام این هسته‌ها هنوز اعلام نشده است؛ اما تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 از هسته‌های پردازشی کورتکس A710 و کورتکس A510 استفاده می‌کند. بنابراین پلتفرم به‌روزرسانی شده نیز احتمالا از هسته‌های مشابهی استفاده خواهد کرد.

با این‌حال ابهامات در خصوص ماهیت خوشه تک هسته‌ای کماکان به قوت خود باقی هستند. با توجه به کلاس این پلتفرم، هسته پردازشی مورد اشاره احتمالا از نوع کورتکس A710 یا نمونه جدیدتر کورتکس A715 خواهد بود.

به هرحال شایان به ذکر است که هم‌اکنون عملا هیچ یک از اسمارت‌فون‌های موجود در بازار از تراشه اسنپ‌دراگون 7 نسل 1 استفاده نمی‌کنند و دلیل این موضوع نیز هنوز مشخص نیست. در حال حاضر روشن نیست که تراشه جدید در چه حوزه‌هایی ارتقاء خواهد یافت. بنابراین کلیه موارد اعلام شده صرفا در حد گمانه‌زنی هستند.

رولاند کوانت پیش‌تر و قبل از معرفی رسمی دوربین‌های GoPro 9 Black و GoPro 10 Black مشخصات و قیمت‌گذاری آنها را به‌طور کامل تشریح کرد. همچنین وی پیش‌تر رندرهای دقیقی از اسمارت‌فون‌های مختلف از جمله نوکیا G21، شیائومی Mi A3، شیائومی Mi 9T و سامسونگ گلکسی زد فولد 4 را منتشر نموده است.

نوشته مشخصات فنی تراشه اسنپ‌دراگون 7 پلاس نسل 1 کوالکام اعلام شد اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.

نبرد قدرت میان مدیاتک +Dimensity 9000 و اسنپ‌دراگون ۸ پلاس نسل ۱ / مدیاتک، کوالکام را شکست داد؟

پلتفرم محبوب بنچمارک موسوم به AnTuTu فهرست 10 اسمارت‌فون پرچم‌دار برتر در بازار طی ماه سپتامبر را منتشر کرده است. در این فهرست، اسامی هندست‌های مختلفی مجهز به تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 کوالکام به چشم می‌خورد. در کمال تعجب ایسوس راگ‌فون 6 با تراشه +Dimensity 9000 بر تمامی هندست‌های مجهز به تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 غلبه نموده و رتبه نخست را به خود اختصاص داده است.

همان‌طور که در تصویر زیر ملاحظه می‌کنید؛ ایسوس راگ‌فون 6D مجهز به تراشه +Dimensity 9000 ساخت شرکت مدیاتک بوده و در فهرست 10 اسمارت‌فون پرچم‌دار برتر رتبه نخست را کسب کرده است. مدلی از این هندست با 12 گیگابایت رم و 256 گیگابایت حافظه داخلی موفق به ثبت امتیاز خیره‌کننده‌ 1123036 در بنچمارک AnTuTu شده است. سایر اسمارت‌فون‌های موجود در این فهرست مجهز به تراشه اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 کوالکام هستند.

وان‌پلاس Ace پرو با 16 گیگابایت رم و 256 گیگابایت حافظه داخلی در رتبه دوم این فهرست جای گرفته است. این هندست در تست بنچمارک AnTuTu به امتیاز 1111200 دست یافته است. مدل iQOO 10 Pro با 12 گیگابایت رم و 512 گیگابایت حافظه داخلی در رتبه سوم قرار دارد. این اسمارت‌فون موفق به کسب امتیاز 1091058 شده است.

اسمارت‌فون‌های بلک شارک 7S پرو، لنوو Legion Y70 و iQOO 10 به‌ترتیب رتبه‌های چهارم، پنجم و ششم در فهرست برترین گوشی‌های پرچم‌دار اندرویدی طی ماه سپتامبر را به خود اختصاص داده‌اند. این دستگاه‌ها به‌ترتیب امتیازات 1088074، 1086381 و 1081766 را کسب کردند. موتو X30 پرو، شیائومی 12S پرو، ردمی K50 اولترا و شیائومی میکس فولد 2 با کسب امتیازات 1068685، 1067913، 1058766 و 1054035 به‌ترتیب در رتبه‌های هفتم تا دهم قرار دارند.

در فهرست گوشی‌های برتر شبه پرچم‌دار طی ماه سپتامبر، شرکت مدیاتک دست بالا را در اختیار دارد. هر 3 اسمارت‌فون وان‌پلاس Ace، وان‌پلاس Ace Racing Edition و اوپو رنو 8 پرو پلاس 5G مجهز به تراشه Dimensity 8100 Max بوده و رتبه‌های اول تا سوم را به خود اختصاص داده‌اند.

هندست‌های ویوو S15 پرو، ریلمی GT Neo 3، ردمی نوت 11T پرو پلاس، ردمی K50، اوپو K10 5G و ردمی نوت 11T پرو همگی مجهز به تراشه Dimensity 8100 بوده و رتبه‌های چهارم تا نهم را به خود اختصاص داده‌اند. اسمارت‌فون ویوو S15 مجهز به تراشه اسنپ‌دراگون 870 نیز در جایگاه دهم قرار دارد.

نوشته نبرد قدرت میان مدیاتک +Dimensity 9000 و اسنپ‌دراگون 8 پلاس نسل 1 / مدیاتک، کوالکام را شکست داد؟ اولین بار در آی‌ تی‌ رسان منتشر شد.