AMD حق ثبت اختراع ابزاری برای اورکلاک خودکار رم را ثبت کرد

شرکت AMD حق امتیازی برنامهای را ثبت کرد که بهطور خودکار پایداری ماژولهای حافظهی اورکلاکشده را آزمایش و هر پروفایل را بهصورت منحصربهفرد و محلی ذخیره میکند.
شرکت AMD حق امتیازی برنامهای را ثبت کرد که بهطور خودکار پایداری ماژولهای حافظهی اورکلاکشده را آزمایش و هر پروفایل را بهصورت منحصربهفرد و محلی ذخیره میکند.
محصولات جدید سندیسک میتواند وزن حافظههایی را که حمل میکنید تا ۸۴ درصد کاهش دهد.
سامسونگ از اولین ماژول ۵۱۲ گیگابایتی CXL DRAM رونمایی کرد که چهار برابر ظرفیت حافظه نسبت به نسخه قبلی دارد.
شرکت سامسونگ از سری جدید کارتهای حافظه میکرو اسدی خود که برای فیلمبرداری با رزولوشن فول اچدی و 4K بهینهسازی شدهاند؛ رونمایی کرد. این کارتها در سری Pro Endurance طبقهبندی شده و به منظور پاسخگویی به نیازهای جدی دوربینهای نظارتی، دوربینهای نصب شده روی داشبورد خودرو، زنگ درب منازل، دوربینهای مخصوص تصویربرداری از بدن و سایر جنبههای کاربردی طراحی شدهاند.
بر اساس بیانیه رسمی سامسونگ، این کارتها قادر به ضبط بیوقفه محتوا برای مدت 16 سال خواهند بود؛ مشروط بر اینکه سرعت بارگذاری محتوا توسط دستگاه میزبان به اندازه کافی سریع باشد. کارتهای حافظه Pro Endurance شرکت سامسونگ با حافظه فلش داخلی NAND تولید شده و دوام آنها در مقایسه با کارتهای سرعتمحور معمولی از سری Evo Plus تا 33 برابر بیشتر است. حداکثر سرعت خواندن و نوشتن داده در این حافظهها بسته به ظرفیت آنها بهترتیب برابر با 100 و 40 مگابایت برثانیه است.
کارتهای حافظه جدید دارای رتبهبندی کلاس 10 با استاندارد U3 (UHS Speed Class 3) و V30 (Video Speed Class 3) هستند؛ اما مجددا بایستی خاطرنشان کرد که این ویژگیها صرفا در برخی مدلهای خاص قابل دسترس هستند. این کارتها در 4 ظرفیت گوناگون 32, 64 (از نوع microSDHC)، 128 و 256 گیگابایتی (از نوع microSDHC) عرضه شده و هر کدام از مدت دوام متفاوتی برخوردار هستند. با اینحال هر 4 مدل مورد اشاره معادل چندین هزار ساعت دوام خواهند داشت.
سامسونگ در کنار قابلیتهای حفاظتی معمول نظیر مقاومت در برابر آبخوردگی، قرارگیری در معرض آهنربا و اشعه ایکس، تدابیر امنیتی بیشتری را برای کارتهای حافظه سری Pro Endurance در نظر گرفته است. کمپانی کرهای از این قابلیتها بهعنوان امکانات حفاظتی ششگانه یاد میکند. همچنین سامسونگ اعلام کرده که این کارتها در برابر فرسودگی و سقوط از ارتفاع حداکثر 5 متری مقاوم خواهند بود.
کارتهای حافظه جدید سامسونگ هماکنون در سراسر جهان قابل دسترس هستند. مدل پایه این کارتها با ظرفیت 32 گیگابایتی 10.99 دلار قیمتگذاری شده و گرانترین مدل نیز با 256 گیگابایت حافظه و برچسب قیمتی 54.99 دلاری در دسترس خریداران قرار میگیرد.
نوشته سامسونگ از کارتهای حافظه میکرو اسدی جدید سری Endurance خود رونمایی کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.
شرکت سامسونگ اخیرا از چهارمین ورژن حافظههای فلش یونیورسال خود با نام UFS 4.0 رونمایی کرد. این حافظهها در طیف وسیعی از اسمارتفونها، تبلتها و سایر دستگاههای موبایلی بهکار گرفته میشوند. سامسونگ وعده داده که تولید انبوه حافظههای UFS 4.0 این شرکت در 3 ماهه سوم سال آغاز شده و این موضوع نویدبخش افزایش چشمگیر سرعت و کارآیی گجتها خواهد بود.
این اظهارات نشان میدهند که دستگاههای جدید گلکسی زد فولد 4، گلکسی زد فلیپ 4 یا سری گلکسی S23 در سال آینده جزو نخستین دستگاههای مجهز به حافظههای UFS 4.0 خواهند بود. این موضوع صرفا بر پایه حدس و گمان مطرح شده است؛ اما در هر صورت بهنظر میرسد که سرعت عملکرد اسمارتفونهای اندرویدی بهزودی ارتقاء خواهد یافت.
به گفته سامسونگ حافظههای UFS 4.0 از پهنای باند حداکثر 23.2 گیگابیت برثانیه در هر خط پشتیبانی میکنند. این رقم 2 برابر حافظههای UFS 3.1 است. در نتیجه حافظههای جدید برای اسمارتفونهای 5G که نیازمند پردازش حجم عظیمی از دادهها هستند؛ فوقالعاده بهنظر میرسند. فناوری جدید نسل هفتمی V-NAND سامسونگ، سرعت خواندن متوالی دادهها را تا حداکثر 4200 مگابایت برثانیه و سرعت نوشتن متوالی دادهها روی حافظه را تا 2800 مگابایت برثانیه ارتقاء خواهد داد. این ارقام در مقایسه با رکوردهای سرعتی ثبت شده توسط حافظههای UFS 3.1 به میزان قابلتوجهی بیشتر هستند.
نهایتا سامسونگ ادعا میکند که میزان بهرهوری انرژی نیز بهبود یافته است. بنابراین دستگاههای موبایلی مجهز به حافظههای UFS 4.0 از دوام بالاتری برخوردار بوده و در عینحال سرعت خواندن و نوشتن داده و پهنای باند حافظه در آنها بهمراتب بیشتر است. سامسونگ ادعا میکند که عملکرد حافظههای UFS 4.0 در مقایسه با انواع UFS 3.x تقریبا 46 درصد بهبود یافته است. به بیان دقیقتر سرعت خواندن متوالی داده معادل 6 مگابایت برثانیه به ازای هر میلیآمپرساعت است.
حافظههای UFS 4.0 با حداکثر ظرفیت 1 ترابایت روانه بازار خواهند شد. بنابراین حافظههای جدید برای گوشیهای پرچمدار آینده سامسونگ که در چندین پیکرهبندی مختلف حافظه روانه بازار میشوند؛ گزینهای مناسب بهشمار میروند. بنابراین بهنظر میرسد که حافظههای جدید UFS 4.0 در گوشیهای تاشو آینده یا سری گلکسی S23 سامسونگ بهکار گرفته خواهند شد. همچنین سامسونگ به منظور عرضه حافظههای جدید UFS 4.0 برای استفاده در خودروها، کاربردهای واقعیتمجازی و واقعیتافزوده و سایر اسمارتفونهای اندرویدی با شرکتهای تولیدکننده دیگر همکاری خواهد کرد.
نوشته حافظههای جدید UFS 4.0 سامسونگ موجب ارتقاء چشمگیر سرعت اسمارتفونها میشوند اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.
در این مقاله به صورت اختصاصی به بررسی حافظه SSD اکسترنال بایواستار P500 خواهیم پرداخت و آن را از جنبههای مختلف مورد نقد و بررسی قرار خواهیم داد.
حافظه اکسترنال یا قابل حمل یکی از کارآمدترین لوازم جانبی برای رایانه شخصی یا لپتاپها به شمار میرود که ما را از شر سیدیها و دیویها نجات دادند. حافظه اکسترنال در واقع همان حافظه داخلی یک سیستم رایانهای است که شما میتوانید آن را با خود حمل کنید. این نوع حافظه در دو نوع دیسک سخت که به هارد مشهور است و حافظه جامد SSD که ابعاد بسیار کوچک و سرعت بالاتری دارد، ساخته میشود.
نوع کارکرد و استفاده شما از حافظه جانبی تعیین میکند که به هارد اکسترنال یا حافظه SSD قابل حمل نیاز دارید اما قطعا افرادی که به صورت حرفهای با سیستم رایانهای خود کار میکنند و نیاز دارند اطلاعات زیادی را همواره همراه خود داشته باشند، حافظه قابل حمل SSD را انتخاب میکنند.
حافظه اکسترنال SSD قیمت بالایی دارد اما ابعاد آن بسیار کوچکتر است، همچنین امکان آسیبدیدگی آن نسبت به حافظه دیسک سخت بسیار کمتر است و یک انتخاب عالی برای به همراه داشتن اطلاعات به شمار میرود.
شرکت بایواستار یک SSD قابل حمل کوچک با نام P500 را در حجمهای متنوع عرضه کرده که یک انتخاب بسیار خوب برای کاربران حرفهای است. حافظه SSD شرکت بایواستار با دیگر حافظههای قابل حمل بازار تفاوت دارد و این تفاوت در طراحی، جنس بدنه، سرعت و کارکرد آن قابل مشاهده است.
به این ترتیب اگر به دنبال خرید یک حافظه SSD قابل حمل پرسرعت، حرفهای و قابل اطمینان میگردید، با آیتیرسان همراه باشید تا نگاهی به تمام ویژگیهای SSD قابل حمل P500 بایواستار بیندازیم.
ابعاد |
115 در 42 در 12.5 میلیمتر |
وزن |
100 گرم |
جنس |
آلومینیوم |
ظرفیت |
512 گیگابایت (476 گیگابایت قابل استفاده) |
کابل رابط |
USB Gen 3.2 |
نوع |
NVMe |
حداکثر سرعت |
10 گیگابیت |
مقاوم در مقابل ضربه |
خیر |
مقاوم در مقابل شوک |
بله |
نورپردازی |
دارد |
قابل استفاده در |
رایانههای شخصی، تلفنهای همراه و… |
محصول حرفهای، یک جعبه حرفهای دارد، این یک قانون است که در مورد حافظه بایواستار صدق میکند. جعبه این حافظه بسیار کوچک اما مستحکم است و از روی جعبه آن میتوان متوجه شد که خود حافظه ابعاد کوچکی دارد و برخی از قابلیتهای آن نیز بر روی جعبه نوشته شده است. زمانی که جعبه را باز میکنید، حافظه اکسترنال درون یک قاب فومی قرار داده شده تا آسیبی نبیند.
درون جعبه، به همراه خود حافظه و دفترچه راهنما، دو کابل نیز قرار دارد که یکی از آن دو برای اتصال به درگاههای Type-A و دیگری هنگام اتصال به درگاههای Type-C استفاده میشود. به زبان ساده یعنی یک کابل USB معمولی داریم که میتوان از آن برای اتصال حافظه به هر دستگاهی استفاده کرد و دیگری مخصوص استفاده از حافظه اکسترنال برای دستگاههای مجهز به USB Type-C است.
اولین نکتهای که هنگام دیدن این حافظه متوجه خواهید شد، ابعاد بسیار کوچک آن است. جنس به کار رفته شده در این حافظه، فلز آلومینیوم بوده که هم باعث افزایش مقاومت و هم باعث کاهش دمای حافظه میشود.
البته این حافظه دو گواهی EMI و ESD را نیز ردیافت کرده است، گواهی EMI به معنای آن است که بایواستار P500 قابلیت سازگاری الکترومغناطیسی دارد و امواج الکترومغناطیسی مخربی را ساطع نمیکند، همچنین در برابر امواج الکترومغناطیسی مخرب بیرونی نیز مقاوم است. گواهی ESD به شما اطمینان میدهد که این دستگاه در برابر تخلیه الکتریکی و اثرات مخرب آن هم مقاومت خوبی از خودش نشان میدهد.
البته به بدنه فلزی و ظاهر خشن بایواستار P500 میخورد که ضد آب و ضد ضربه نیز باشد اما اینگونه نیست و از لحاظ مقاومت و ایمنی فقط همان دو گواهی EMI و ESD برای این مدل در نظر گرفته شده است.
از مزیتهای دیگر این جنس بدنه میتوان به مقاومت خوب آن در برابر جذب اثر انگشت اشاره کرد. در واقع این محصول خیلی کم کثیف میشود. ابعاد این حافظه خیلی کوچک و مناسب انواع حمل و نقل است. به دلیل مقدار حافظه و ابعاد کوچک، این حافظه را میتوان پُلی میان فلش و حافظه در نظر گرفت. این حافظه از آنهایی است که به خوبی در جیب جا میشود و مشکلی بابت حمل و نقل آن وجود نخواهد داشت.
حافظه بایواستار به شکل مکعب مستطیل طراحی شده ولی گوشههای آن گرد بوده و به همین دلیل آسیبی به جیب شما نمیزند. در زیر این حافظه دو بخش نرم پهن قرار گرفته تا از سُر خوردن آن جلوگیری شود که در انجام این کار عملکرد خوبی دارند. در بین این دو، یک صفحه قرار گرفته که برخی اطلاعات حافظه روی آن نوشته شده که باید بگوییم در همین چند روزی که برای بررسی دست ما بود، تمام اطلاعات روی آن پاک شد! یعنی کیفیت چاپ آن به حدی است که به راحتی با یک لمس دست پاک میشود. اگر قصد خرید این حافظه را دارید، بهتر است که ابتدا خودتان این نوشتهها را پاک کنید تا دیگر وسایلتان کثیف نشوند!
سطوح کناری حالتی خمیده به خود گرفتهاند تا حافظه را کمی خوش دستتر کنند. سطح بالایی آن به سه قسمت تقسیم شده که در قسمت بالا و پایین سیستم نورپردازی قرار گرفته است و در قسمت میانی نام و لوگوی بایواستار به چشم میخورد.
حافظه اکسترنال بایواستار تنها یک درگاه دارد که آنهم درگاه USB-C است، این درگاه در قسمت سمت راست حافظه P500 قرار گرفته و تمام اتصالات از همین درگاه صورت میگیرد.
این حافظه با کابل USB تقریبا به تمام دستگاهها متصل میشود و تا نسل 3.2 از USB و سرعت حداکثری 10 گیگابیت بر ثانیه پیش میرود. در این بخش، ما چهار تست مختلف در اتصال با سیستمهای مختلف و رابطهای مختلف تست کردیم. دقت کنید که حجم اطلاعات سنگین با سبک یکی است اما در تست اطلاعات سنگین تنها از یک فایل سنگین و در تست اطلاعات سبک، از تعداد زیادی فایل کم حجم استفاده شده است.
تصویر پایین مربوط به امتیاز بنچمارک کریستال دیسکمارک است که میتوانید امتیازات این بنچمارک به این حافظه پرسرعت را مشاهده کنید.
دو تصویر پایین مربوط به انتقال حافظه حدود 10 گیگابایت (به صورت فایلهای کم اما حجیم و فایلهای زیاد اما سبک) از حافظه P500 به حافظه دسکتاپ Nvme است که با کابل تاندربولت انجام شده، همانطور که میبینید سرعت و پایداری بالای انتقال قابل توجه است.
دو تصویر زیر مربوط به انتقال فایل حدود 4 گیگابایت (به صورت فایلهای کم اما حجیم و فایلهای زیاد اما سبک) از حافظه Nvme به بایواستار P500 است که با کابل USB 3 انجام شده و در این انتقال نوسان قابل توجهی در پایان انتقال مشاهده میشود.
دو تصویر زیر مربوط به انتقال فایل حدود 1.5 گیگابایت از حافظه بایواستار P500 به حافظه SSD معمولی و بلعکس است که با کابل USB 3 انجام شده و در این انتقال نوسان کمی در هنگام خواندن دیده میشود.
دو تصویر زیر مربوط به انتقال فایل حدود 10 گیگابایت از حافظه بایواستار P500 به حافظه SSD معمولی و بالعکس است که با کابل USB 3 انجام شده و در این انتقال نوسانات زیادی در هنگام خواندن وجود داشت اما در هنگام نوشتن انتقال پایدار بود.
دو تصویر زیر مربوط به انتقال فایل حدود 1.5 گیگابایت از حافظه بایواستار P500 به حافظه HDD و بالعکس است که با کابل USB 3 انجام شده و در این انتقال نوسان قابل توجهی در هنگام خواندن دیده میشود.
دو تصویر زیر مربوط به انتقال فایل حدود 10 گیگابایت از حافظه بایواستار P500 به حافظه HDD و بالعکس است که با کابل USB 3 انجام شده و در این انتقال نوسانات زیادی در هنگام خواندن و نوشتن وجود داشت.
نکته عجیب این است که برای اتصال به تلفن همراه، نتوانستیم از کابل C به C درون جعبه به دلیل شناخته نشدن توسط تلفن استفاده کنیم و تنها با استفاده از کابل C به A و یک رابط OTG توانستیم از آن بهره ببریم. در جدول زیر تمام سرعتها برحسب مگابایت بر ثانیه است.
خواندن اطلاعات سبک |
نوشتن اطلاعات سبک |
خواندن اطلاعات سنگین |
نوشتن اطلاعات سنگین |
شرایط |
368 |
349 |
759 |
750 |
اتصال به Nvme با تاندربولت |
304 |
283 |
406 |
320 |
اتصال به Nvme با USB 3 |
266 |
240 |
250 |
386 |
اتصال به SSD با USB 3 |
238 |
245 |
128 |
94 |
اتصال به HDD با USB 3 |
38.5 |
38.6 |
39.8 |
39.7 |
اتصال به Nvme با USB 2 |
35.3 |
34.8 |
36.5 |
37 |
اتصال به SSD با USB 2 |
32.6 |
25.3 |
32.8 |
28.4 |
اتصال به HDD با USB 2 |
28.1 |
27.6 |
34.5 |
35 |
اتصال به اندروید * |
*اتصال به اندروید با تبدیل C به A و OTG تست شده است که احتمالا دلیل کم بودن سرعت است، اما ظاهرا این تنها راه اتصال به اندروید بود.
طبق معمول باید سرعت خواندن اطلاعات بیشتر از نوشتن و سرعت اطلاعات سنگین بیشتر از اطلاعات سبک باشد. اما طبق نتایج به دست آمده بایواستار P500 زیاد این قاعده را رعایت نمیکند. همچنین هنگام کپی کردن اطلاعات نیز، نوسانات سرعت در برخی تستها بالا و در برخی تستها پایین بود و اعداد بالا در واقع میانگین اعداد بدست آمده از چند تست است.
حافظه اکسترنال بایواستار P500 به دو نوار نورپردازی RGB هوشمند مجهز شده که ظاهری گیمینگ و خاص به آن میدهد. این دو نوار نور در هنگام اتصال حافظه به هر سیستمی روشن میشود و در خواندن و نوشتن به سمت ورود و خروج حافظه حرکت میکند که تداعی کننده انتقال فایل است.
نورپردازی RGB این حافظه در حالتی که آن را در حالت 45 درجه قرار دهید، خاموش میشود؛ دلیل این کار دقیقا مشخص نیست اما به هر شکل نورپردازی هوشمند بوده و در حالت 45 درجه خاموش میشود و خود بایواستار از آن به عنوان اسمارت RGB یاد میکند.
اگر در همین رنج دنبال دیگر حافظهها بگردید، معمولا هر کدام از آنها حداقل یکی از مزیتهای بایواستار P500 را نخواهند داشت. این حافظه تقریبا تمام ویژگیهای لازم برای یک حافظه قابلحمل را در یک پکیج ارائه میکند. این حافظه با توجه به ابعاد و مقاومتی که دارد، برای افرادی که حمل و نقل برایشان اهمیت ویژهای دارد مانند افراد علاقهمند به سفر و یا کسانی که قصد خرید حافظه برای لپتاپ یا تلفن همراه خود را دارند، مناسب است.
حافظه بایواستار P500 یک حافظه کوچک، سبک، خوش دست و بسیار پرسرعت است که در رده خود رقیبان سرسختی ندارد و گزینه مناسبی برای افراد حرفهای به شمار میآید. نوسان بالا در هنگام استفاده با کابل USB 3 شاید بزرگترین نقطه ضعف این حافظه اکسترنال باشد اما اگر از کابل تاندربولت استفاده کنید، سرعت بسیار خوب 750 مگابایت بر ثانیه را با پایداری بسیار بالا دریافت خواهید کرد.
ابعاد کوچک و مناسب جابهجایی
جنس خوب و مقاوم
دمای کم
نورپردازی هوشمندانه
وجود دو کابل در جعبه
نوسان بالا
سرعت انتقال میتوانست بیشتر باشد
نوشته نقد و بررسی حافظه SSD قابلحمل Biostar P500: سریع و خشن! اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.
واحد تولید نیمههادی شرکت سامسونگ (Samsung Semiconductor) سرگرم توسعه حافظههای DDR6 برای دستگاههای محاسباتی نسل آینده است. استاندارد جدید 2 برابر سریعتر از ورژن DDR5 عمل خواهد کرد؛ اگرچه مشتریان برای عرضه این حافظهها به بازار کماکان بایستی چند سال دیگر منتظر بمانند. علاوه بر حافظههای DDR6 که در کنار CPU مورد استفاده قرار میگیرند؛ سامسونگ پیرامون آینده حافظههای GDDR که برای کارتهای گرافیکی حیاتی هستند نیز صحبت کرد.
بر اساس گزارش اخیر موسسه ComputerBase، کمپانی کرهای در مراحل اولیه توسعه حافظههای DDR6 قرار دارد؛ اما این استاندارد میتواند در سال 2024 و از طریق همکاری مداوم با اعضای سازمان تجارت و مهندسی نیمههادی (JEDEC) نهایی شود. JEDEC یک نهاد مستقل استانداردسازی نیمههادی با بیش از 300 عضو بهشمار میرود.
استاندارد DDR6 در کلیه جوانب 2 برابر سریعتر از DDR5 خواهد بود
با عرضه حافظههای DDR6، مشتریان بایستی از مزایای نرخ 2 برابری انتقال داده نسبت به نمونههای DDR5 بهرهمند شوند؛ همانطور که با عرضه حافظههای DDR5 شامل رشد 2 برابری سرعت تبادل داده نسبت به مدلهای DDR4 بودیم. بنابراین نرخ انتقال داده در استاندارد آینده DDR6 و روی ماژولهای JEDEC احتمالا به محدوده 12800 مگابیت برثانیه خواهد رسید. این پهنای باند در حالت اورکلاک شده به حدودا 17000 مگابیت برثانیه افزایش خواهد یافت.
بعلاوه تعداد کانالهای حافظه در استاندارد DDR6 نسبت به ورژن DDR5 دو برابر شده و شاهد بهکارگیری 4 کانال 16 بیتی و 64 بانک حافظه خواهیم بود.
در رابطه با استاندارد LPDDR6 (ورژن کممصرف حافظههای DDR) بهنظر میرسد که سامسونگ برای افزایش نرخ انتقال نسبت به استاندارد LPDDR5 هیچ برنامه خاصی ندارد. اما بر اساس برخی گزارشات، کمپانی کرهای در تلاش است تا بهرهوری انرژی را به میزان 20 درصد افزایش دهد.
سامسونگ بهدنبال جایگزینی استاندارد GDDR6 با نمونه ارتقایافته +GDDR6 است
اگرچه سامسونگ احتمالا در آیندهای دور اقدام به عرضه حافظههای GDDR7 خواهد کرد؛ اما بر اساس گزارشات، غول کرهای بهدنبال رونمایی از ایدهای سریعتر از GDDR6 بهعنوان یک پل ارتباطی میان 2 نسل در آیندهای نزدیکتر است. این استاندارد حافظهای +GDDR6 نام دارد و ورژن بهبودیافته GDDR6 محسوب میشود.
بر اساس شنیدهها حافظه +GDDR6 به حداکثر سرعت 24 گیگابیت برثانیه برای هر پین خواهد رسید. این پدیده بدان معناست که پردازندههای گرافیکی با گذرگاه 256 بیتی میتوانند به پهنای باند 768 گیگابیت برثانیه دست یابد. همچنین پهنای باند پردازنده گرافیکی با باس 320 بیتی یا بالاتر نیز از 1 ترابیت برثانیه فراتر خواهد رفت.
در خصوص استاندارد GDDR7 نیز انتظار میرود که سرعت این حافظهها نسبت به نمونههای GDDR6 دو برابر شده و حداکثر سرعت هر پین به 32 گیگابیت برثانیه برسد. با اینحال برای استاندارد GDDR7 هنوز هیچ نقشه راه رسمی وجود ندارد. بنابراین حافظههای +GDDR6 قادر به پر کردن جای خالی آنها طی چند سال آینده خواهند بود.
نوشته حافظههای DDR6 و +GDDR6 سامسونگ 2 برابر سریعتر از مدلهای نسل قبل خواهند بود اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.
سامسونگ نخستین شرکت توسعهدهنده حافظه رم LPDDR5x در جهان محسوب میشود. حافظههای جدید به لحاظ ظرفیت و سرعت نسبت به نمونههای LPDDR5 پیشرفت نموده و در عینحال میزان مصرف انرژی توسط آنها نیز 20 درصد کمتر است.
رم LPDDR5x با حداکثر سرعت 8.5 گیگابیت برثانیه فعالیت خواهد کرد؛ در حالیکه سرعت حافظههای LPDDR5 برابر با 6.4 گیگابیت برثانیه است. حافظه رم نسل جدید بر پایه فرآیند 14 نانومتری تولید شده و امکان پکیجبندی حافظه تا سقف 64 گیگابایت را فراهم میکند. این پدیده بدان معناست که در آینده شاهد عرضه لپتاپها و حتی اسمارتفونها و تبلتهایی با ظرفیت رم بسیار بالا خواهیم بود.
سامسونگ اعلام کرده که روند بهکارگیری حافظه رم LPDDR5x با همکاری شرکتهای تولیدکننده دستگاههای مختلف در اواخر سال جاری آغاز خواهد شد. با اینحال در خصوص موعد عرضه این حافظهها به بازار به هیچ پنجره زمانی خاصی اشاره نشده است.
نوشته سامسونگ فرآیند توسعه نخستین حافظه رم LPDDR5x را با موفقیت به پایان رساند اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.
اینتل اعلام کرده است که همزمان با معرفی ماژولهای حافظه DDR5، در نظر دارد تا از نسخه بهروزرسانیشده فناوری XMP نیز رونمایی کند؛ این بهروزرسانی به نفع AMD هم خواهد بود.
ایدیتا موفق شد رکورد جدیدی را با اورکلاک حافظههای XPG DDR5 جابهجا کند و اولین شرکتی لقب بگیرد که حافظههای DDR5 را به فرکانس ۸۱۱۸ مگاترنسفر در ثانیه میرساند.