سامسونگ امروز تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری مبتنی بر فناوری FinFET را آغاز کرد. این شرکت کره‌ای می‌گوید که در سال آینده محصولی با این تکنولوژی به بازار عرضه می‌شود. در اوایل ماه جاری میلادی، اخباری منتشر شده بود که نشان می‌داد چیپست‌های اسنپدراگون ۸۳۰ را سامسونگ با فناوری ۱۰ نانومتری می‌سازد. این خبر، تاییدی بر اخبار پیشین بود.

جان شیک یون، مدیر ارشد اجرایی بخش کارخانه سامسونگ الکترونیک می‌گوید:

تولید انبوه چیپست‌های با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET، نشان از رهبری ما در دنیای فناوری پیشرفته دارد. ما به خلاقیت خود در این راه ادامه می‌دهیم.

فناوری ۱۰ نانومتری FinFET سامسونگ ۱۰LPE نامیده شده و از یک ترانزیستور سه بعدی که بهبودهایی هم در تکنولوژی و هم در طراحی نسبت به فناوری ۱۴ نانومتری دارد، استفاده می‌کند و این ۲۷ درصد عملکرد بهتر و ۴۰ درصد مصرف کمتر انرژی را به ارمغان می‌آورد. سامسونگ نسل دوم این فناوری را در نیمه دوم سال ۲۰۱۷ با نام ۱۰LPP روانه بازار می‌کند. سامسونگ برای ساخت این فناوری از روش FoPLP استفاده می‌کند. این فناوری به سامسونگ اجازه می‌دهد که چیپست‌ها را باریک‌تر بسازد.

نوشته سامسونگ تولید انبوه چیپست‌های ۱۰ نانومتری را آغاز کرد اولین بار در - آی‌تی‌رسان پدیدار شد.