تراشه اسنپ‌دراگون ۸۷۵ با استفاده از فرآیند ۵ نانومتری شرکت TSMC تولید خواهد شد

/در , , , , , /توسط

براساس پیش‌بینی‌ها، نسل بعدی تراشه‌های موبایلی پیشرفته شرکت کوالکام، اسنپ‌دراگون 865 نام دارد و این تراشه برای هندست‌های رده‌بالای سال 2020 طراحی می‌شود. جهت اطلاع افراد ناآگاه بایستی خاطرنشان کرد که کوالکام، تراشه‌های خود را شخصا طراحی می‌کند؛ اما تجهیزات موردنیاز برای تولید آن‌ها را در اختیار ندارد. کمپانی طراح آمریکایی طی 2 سال گذشته، ساخت تراشه‌های اسنپ‌دراگون 845 و 855 خود را به بزرگ‌ترین خطوط تولید مستقل در کمپانی تایوانی تولیدکننده نیمه‌هادی موسوم به TSMC محول نموده است.  پیش از آن، سامسونگ مسئولیت تولید تراشه‌های اسنپ‌دراگون 820 و 835 را بر عهده داشت.

بر اساس گزارش منتشر شده توسط وب‌سایت Sina.com، کوالکام در حال بازگشت به سوی سامسونگ بوده و تولید تراشه اسنپ‌دراگون 865 را به این شرکت محول خواهد کرد. غول فناوری کره‌ای با استفاده از فرآیند 7 نانومتری EUV خود به تولید این تراشه می‌پردازد. رقم 7 نانومتری توصیف‌کننده تعداد ترانزیستورهای به‌کارگیری شده در یک تراشه است. کاهش این رقم به‌معنای افزایش تعداد ترانزیستورهای قابل استفاده در یک تراشه خواهد بود. به‌کارگیری ترانزیستورهای بیش‌تر در یک تراشه به‌معنای افزایش توان و بهره‌وری انرژی آن است. پیش‌تر در سال 1965، قانون مور بر اساس مشاهدات آقای گوردون مور؛ موسس شرکت اینتل ارایه شد. بر اساس این قانون، تعداد ترانزیستورهای موجود در مدارات یکپارچه (نظیر تراشه‌ها)، هر ساله در مقایسه با سال پیش از آن 2 برابر می‌شود. به منظور درک مناسب‌تر موضوع کافیست بدانید که تراشه OMAP 3430 ساخت کمپانی Texas Instruments طی سال 2009 و در گوشی موتورولا DROID مورد استفاده قرار گرفت. این تراشه با استفاده از فرآیند 65 نانومتری تولید شد.

یک ورژن از تراشه اسنپ‌دراگون 865 احتمالا مجهز به تراشه مودم 5G یکپارچه خواهد بود

در لیتوگرافی 7 نانومتری EUV، این واژه 3 حرفی به‌عنوان مخفف عبارت ماوراءبنفش بی‌نهایت (Extreme-UltraViolet) در نظر گرفته می‌شود. این فناوری به منظور علامت‌گذاری دقیق‌تر ویفرهای سیلیکونی به‌کارگیری شده جهت تولید تراشه‌ها از طریق الگو مورد استفاده قرار می‌گیرد. این الگوها مکان قرارگیری ترانزیستورها درون یک تراشه را تعیین خواهند کرد. هنگامی‌که جهت ترسیم الگوها بر روی ویفرها از پرتوهایی با طول‌ موج کوتاه (نظیر پرتوهای مورد استفاده در فناوری EUV) استفاده می‌شود؛ استقرار ترانزیستورهای بیش‌تر درون یک تراشه مقدور خواهد شد. بر اساس پیش‌بینی‌ها، تولید تراشه اسنپ‌دراگون 865 با استفاده از فناوری EUV به افزایش 20 تا 30 درصدی کارآیی تراشه و بهبود 30 تا 50 درصدی مصرف انرژی آن منجر خواهد شد. این ارقام به‌سادگی قابل چشم‌پوشی نیستند. پلتفرم موبایلی اسنپ‌دراگون 865 احتمالا همراه با اسمارت‌فون سامسونگ گلکسی S11 معرفی خواهد شد. این هندست به احتمال فراوان در حوالی روز 24 فوریه؛ هم‌زمان با آغاز نمایشگاه MWC 2020 در شهر بارسلونا رونمایی خواهد شد. تراشه اسنپ‌دراگون 865 اخیرا در وب‌سایت بنچمارک گیک‌بنچ رویت شد و در تست پردازش چندهسته‌ای به امتیاز 12496 دست یافت. این در حالیست که پلتفرم موبایلی اسنپ‌دراگون 855 پلاس در همین تست، امتیاز 10946 را کسب کرد. مدل مذکور، نسخه اورکلاک شده تراشه اسنپ‌دراگون 855 به‌شمار می‌رود.

استیو مولنکوف؛ مدیرعامل کوالکام، این شرکت طراح تراشه را به سوی بهره‌گیری از فناوری 5G هدایت خواهد کرد

اگرچه تراشه اسنپ‌دراگون 865 در سال 2020 توسط سامسونگ تولید خواهد شد؛ اما یک گزارش منتشر شده نشان می‌دهد که این تراشه در 2 ورژن مختلف با اسم رمزهای Kona و Huracan عرضه می‌شود. هر 2 مدل از تراشه‌های حافظه (رم) LPDDX5 و حافظه فلش UFS 3.0 پشتیبانی خواهند کرد. با این‌حال یکی از آن‌ها مجهز به تراشه مودم 5G یکپارچه بوده و دیگری از چنین مشخصه‌ای بی‌بهره خواهد بود. هفته گذشته شرکت هواوی اقدام به انتشار یک تیزر تبلیغاتی برای تراشه آینده کایرین 990 نمود و از روز 6 سپتامبر به‌عنوان موعد زمانی معرفی این تراشه یاد کرد. بر اساس پیش‌بینی‌ها، توان پردازشی گوشی‌های پیشرفته سری میت 30 و اسمارت‌فون تاشوی میت X از طریق تراشه کایرین 990 تامین خواهد شد. همچنین این تراشه مجهز به یک مودم 5G یکپارچه خواهد بود. این موضوع، دستگاه را از اتصال به یک مودم مجزا بی‌نیاز نموده و احتمالا موجب افزایش مدت شارژدهی باتری در دستگاه‌های مجهز به تراشه‌های مذکور می‌شود.

وب‌سایت Sina.com اعلام می‌کند که در سال 2021، کوالکام برای تولید پلتفرم موبایلی اسنپ‌دراگون 875 خود مجددا به کمپانی TSMC مراجعه خواهد کرد. این گزارش می‌افزاید که تراشه اسنپ‌دراگون 875 با استفاده از فرآیند 5 نانومتری TSMC تولید خواهد شد. در صورت تحقق چنین سناریویی تراشه مذکور در هر میلی‌متر مربع از فضای خود، تعداد 171.3 میلیون ترانزیستور را جای خواهد داد. بنابراین انتظار می‌رود که توان پردازشی و بهره‌وری انرژی این تراشه در مقایسه با نسل قبلی ارتقاء پیدا کند.

بنابراین اکنون این پرسش مطرح می‌شود که آیا قانون مور کماکان معتبر باقی خواهد ماند؟ سال گذشته سامسونگ از نقشه‌راه خود برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری تا سال 2022 خبر داد و TSMC نیز به‌دنبال یافتن روش‌هایی جهت به‌کارگیری ترانزیستورهای بیش‌تر در تراشه‌ها است. کمپانی تایوانی مشغول بررسی روش‌هایی جهت تغییر قالب تراشه‌ها بوده و در عوض استقرار ترانزیستورها در کنار یکدیگر قصد دارد آن‌ها را با آرایش عمودی بر روی یکدیگر قرار دهد.

نوشته تراشه اسنپ‌دراگون 875 با استفاده از فرآیند 5 نانومتری شرکت TSMC تولید خواهد شد اولین بار در اخبار تکنولوژی و فناوری پدیدار شد.

توسعه پردازنده‎های  ۵نانومتری توسط سامسونگ

/در , , , /توسط

سامسونگ الکترونیکس به عنوان برند پیشتاز در حوزه فناوری نیمه‏‌هادی‌‏ها اعلام کرد که فناوری پردازش FinFET 5 نانومتری را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدل‌‏های نمونه به مشتریان است. با اضافه شدن این مدل پیشرفته به مجموعه محصولات پردازشی مبتنی بر فوق ماورای بنفش (EUV)، سامسونگ بار دیگر برتری خود را در بازارهای پایه پیشرفته به اثبات رساند.

فناوری پردازش 5 نانومتری FinFET در مقایسه با سری 7 نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا 25 درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا 10 درصد کاهش پیدا می‏‌کند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینه‌سازی شده و میزان عملکرد پردازنده 10 درصد ارتقا پیدا می‎کند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانه تر در معماری سلولی (Cell Architecture) را نیز فراهم می‎کند.

علاوه بر بهینه سازی «عملکرد در حوزه انرژی» (PPA)، مشتریان می‎توانند از مزایای متعدد فناوری بسیار پیچیده EUV 5 نانومتری سامسونگ بهره‎مند شوند. سری 5 نانومتری نیز مانند سری قبل پردازنده‏های این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش می‎دهد.

یکی دیگر از مزایای مهم فناوری 5 نانومتری آن است که می‌‏توانیم از همه IPهای 7 نانومتری برای 5 نانومتری هم استفاده کنیم و به این ترتیب روند انتقال مشتریان از فناوری 7 نانومتری به 5 نانومتری با هزینه‏‌هایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی شده همراه بوده و در نهایت روند تولید محصولاتی با فناوری 5 نانومتری بسیار کوتاه‌تر خواهد بود.

بخش فناوری‎های پایه سامسونگ (Samsung Foundry) در همکاری با شرکت‎های فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری 5 نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP می‎شود. این مجموعه از سه ماهه آخر سال 2018 به تدریج به طرفین عرضه شده‎اند. در عین حال بخش فناوری‎های پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer (MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است.

چارلی بی، معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ می‎گوید «با تکمیل موفقیت‎آمیز توسعه 5 نانومتری، توانستیم توانایی‎هایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم. ما در پاسخ به تقاضای مداوم مشتریان برای فناوری‎های پیشرفته پردازشی با هدف متمایز کردن محصولات نسل آینده، تلاش داریم حجم تولید محصولات فناوری‎های مبتنی بر EUV را افزایش دهیم».

در ماه اکتبر 2018 سامسونگ تولید اولیه پردازشگر 7 نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونه‎های تجاری آن پردازشگر را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازشگر 7 نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد.

در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید یک پردازشگر 6 نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونه‏های اولین چیپ 6 نانومتری خود دست پیدا کرده است.

معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ افزود «با توجه به مزایای متعدد مانند PPA و IP، انتظار می‎رود نودهای یپشرفته مبتنی بر EUV سامسونگ برای کاربردهای نوآورانه و جدید مانند 5G، هوش مصنوعی (AI)، محاسبات حجم بالا (HPC) و اتوماسیون، با تقاضای بالایی مواجه شود. سامسونگ هم‏زمان با ارتقای جایگاه خود به عنوان پیشتاز لیتوگرافی EUV، پیشرفته‎ترین فناوری‎ها و راهکارها را به مشتریان خود عرضه می‎کند».

فناوری‎های پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید می‎شوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تاسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار می‏رود این کار تا نیمه دوم 2019 تکمیل شود.

نوشته توسعه پردازنده‎های  5نانومتری توسط سامسونگ اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.

توسعه پردازنده‎های  ۵نانومتری توسط سامسونگ

/در , , , /توسط

سامسونگ الکترونیکس به عنوان برند پیشتاز در حوزه فناوری نیمه‏‌هادی‌‏ها اعلام کرد که فناوری پردازش FinFET 5 نانومتری را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدل‌‏های نمونه به مشتریان است. با اضافه شدن این مدل پیشرفته به مجموعه محصولات پردازشی مبتنی بر فوق ماورای بنفش (EUV)، سامسونگ بار دیگر برتری خود را در بازارهای پایه پیشرفته به اثبات رساند.

فناوری پردازش 5 نانومتری FinFET در مقایسه با سری 7 نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا 25 درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا 10 درصد کاهش پیدا می‏‌کند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینه‌سازی شده و میزان عملکرد پردازنده 10 درصد ارتقا پیدا می‎کند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانه تر در معماری سلولی (Cell Architecture) را نیز فراهم می‎کند.

علاوه بر بهینه سازی «عملکرد در حوزه انرژی» (PPA)، مشتریان می‎توانند از مزایای متعدد فناوری بسیار پیچیده EUV 5 نانومتری سامسونگ بهره‎مند شوند. سری 5 نانومتری نیز مانند سری قبل پردازنده‏های این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش می‎دهد.

یکی دیگر از مزایای مهم فناوری 5 نانومتری آن است که می‌‏توانیم از همه IPهای 7 نانومتری برای 5 نانومتری هم استفاده کنیم و به این ترتیب روند انتقال مشتریان از فناوری 7 نانومتری به 5 نانومتری با هزینه‏‌هایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی شده همراه بوده و در نهایت روند تولید محصولاتی با فناوری 5 نانومتری بسیار کوتاه‌تر خواهد بود.

بخش فناوری‎های پایه سامسونگ (Samsung Foundry) در همکاری با شرکت‎های فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری 5 نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP می‎شود. این مجموعه از سه ماهه آخر سال 2018 به تدریج به طرفین عرضه شده‎اند. در عین حال بخش فناوری‎های پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer (MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است.

چارلی بی، معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ می‎گوید «با تکمیل موفقیت‎آمیز توسعه 5 نانومتری، توانستیم توانایی‎هایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم. ما در پاسخ به تقاضای مداوم مشتریان برای فناوری‎های پیشرفته پردازشی با هدف متمایز کردن محصولات نسل آینده، تلاش داریم حجم تولید محصولات فناوری‎های مبتنی بر EUV را افزایش دهیم».

در ماه اکتبر 2018 سامسونگ تولید اولیه پردازشگر 7 نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونه‎های تجاری آن پردازشگر را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازشگر 7 نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد.

در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید یک پردازشگر 6 نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونه‏های اولین چیپ 6 نانومتری خود دست پیدا کرده است.

معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ افزود «با توجه به مزایای متعدد مانند PPA و IP، انتظار می‎رود نودهای یپشرفته مبتنی بر EUV سامسونگ برای کاربردهای نوآورانه و جدید مانند 5G، هوش مصنوعی (AI)، محاسبات حجم بالا (HPC) و اتوماسیون، با تقاضای بالایی مواجه شود. سامسونگ هم‏زمان با ارتقای جایگاه خود به عنوان پیشتاز لیتوگرافی EUV، پیشرفته‎ترین فناوری‎ها و راهکارها را به مشتریان خود عرضه می‎کند».

فناوری‎های پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید می‎شوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تاسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار می‏رود این کار تا نیمه دوم 2019 تکمیل شود.

نوشته توسعه پردازنده‎های  5نانومتری توسط سامسونگ اولین بار در وب‌سایت فناوری پدیدار شد.