TSMC اعلام کرده است که به منظور مرتفع کردن مشکل خنک‌کنندگی در تراشه‌ها، روی راهکاری برای مجتمع‌سازی کانال‌های خنک‌کننده آب کار می‌کند.

تمامی خودروهای مدرن برای انجام اعمال مختلف نظیر کنترل اتومبیل، اتصال به اینترنت، سرگرمی‌های داخل خودرو، ناوبری و ایمنی از تراشه‌های نیمه‌هادی استفاده می‌کنند.

چند سال پیش شرکت سامسونگ با معرفی تراشه Exynos Auto حوزه فعالیت خود را به صنعت در حال رشد خودروسازی گسترش داد. از آن زمان به بعد کمپانی کره‌ای تراشه‌های موردنیاز شرکت آئودی را تامین کرده است. اکنون گزارش شده که کمپانی فولکس واگن؛ بزرگترین خودروساز جهان نیز استفاده از تراشه‌های سامسونگی را آغاز نموده است.

بر اساس یک گزارش جدید از کشور کره، شرکت سامسونگ تامین تراشه‌های Exynos Auto برای فولکس واگن را در اوایل سال 2021 آغاز کرده است. بر اساس گزارشات این تراشه برای پخش محتوای چندرسانه‌ای، ناوبری و کنترل وضعیت خودرو مورد استفاده قرار می‌گیرد. تراشه Exynos Auto V9 با استفاده از فرآیند 8 نانومتری FinFET توسط صنایع نیمه‌هادی سامسونگ (Samsung Foundry) تولید می‌شود.

این تراشه مجهز به CPU با 8 هسته پردازشی ARM Cortex-A76، پردازنده گرافیکی ARM Mali-G76 MP18 و واحد پردازش عصبی (NPU) یکپارچه است. پردازنده سیگنال دیجیتال (DSP) از حداکثر 6 نمایشگر پشتیبانی می‌کند؛ در حالی‌که پردازنده سیگنال تصویر (ISP) از حداکثر 12 دوربین نصب شده روی خودرو و ویدیوهای 4K با سرعت 120 فریم برثانیه پشتیبانی خواهد کرد.

با توجه به نیاز روزافزون خودروها به فناوری‌های پردازش داده، پردازش تصویر و فیلم، اتصال به اینترنت، تشخیص صدا و سایر امورات وابسته به تراشه‌ها، شرکت سامسونگ نیز در حال برنامه‌ریزی برای توسعه مجموعه تراشه‌های Exynos Auto خود در آینده است.

سامسونگ اخیرا از نخستین سنسور تصویربرداری ISOCELL خود که مشخصا برای اتومبیل‌ها طراحی شده است؛ رونمایی کرد. بعلاوه غول کره‌ای پنل‌های اولد، LED و باتری‌های موردنیاز خودروهای برقی را تولید می‌کند. این محصولات توسط شرکت‌ BMW و سایر برندهای خودروسازی مورد استفاده قرار می‌گیرند.

از آنجا که به تدریج تعداد بیش‌تری از اتومبیل‌ها به استفاده از سیستم‌عامل‌های کارآمدی نظیر Android Automative، QNX و سیستم‌عامل اپل (به‌دلیل شایعات مربوط به خودروی هوشمند اپل) روی می‌آورند؛ لذا فروش تراشه‌های نیمه‌هادی نیز در آینده‌ای نزدیک افزایش خواهد یافت.

سامسونگ نیز مایل است تا پیشاپیش آمادگی خود را ارتقاء دهد. در حال حاضر سامسونگ در پروژه‌های مختلف با شرکت‌های هیوندای، جنسیس و تسلا همکاری می‌کند.

نوشته خودروهای جدید فولکس واگن از تراشه‌های Exynos Auto سامسونگ استفاده می‌کنند اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

کمپانی‌های سامسونگ و TSMC در زمینه استفاده از فناوری‌های نیمه‌هادی پیشرفته در جهان پیشتاز هستند. اما طی سالیان اخیر شرکت سامسونگ به وضوح از ادامه رقابت ناتوان بوده است. در این میان تولید انبوه فرآیندهای تولید غول کره‌ای نه‌تنها به تاخیر افتاده یا کند شده است؛ بلکه کارآیی و مقیاس مشتریان سامسونگ نیز تا حد زیادی از رقبای خود عقب افتاده است.

سامسونگ ضمن برگزاری کنفرانس زیست‌محیطی Chinese IP and Custom Chip از نقشه راه خود برای فرآیند تولید جدید رونمایی کرد. این نقشه راه نشان می‌دهد که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری 3GAP تا سال 2023 آغاز نخواهد شد. با این‌حال کمپانی TSMC پیش‌تر اعلام کرده که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری اختصاصی خود را در 6 ماهه دوم سال آینده آغاز خواهد کرد.

بیانیه‌های پیشین سامسونگ نشان داد که تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری این شرکت در سال 2022 آغاز خواهد شد. با این‌حال کمپانی کره‌ای در اظهارات خود به فناوری ورژن 3GAE (فرآیند 3 نانومتری Gate-all-around Early) اشاره نموده است. این ورژن اساسا نسخه اولیه یا ابتدایی فرآیند 3 نانومتری به‌شمار می‌رود. با این‌حال نقشه راه 3GAP به فرآیند 3 نانومتری Gate-all-around plus اشاره دارد. این فرآیند ورژن ارتقایافته لیتوگرافی 3 نانومتری به‌شمار رفته و طبیعتا از کارآیی بهتری برخوردار است.

آیا آخرین بیانیه صادر شده توسط سامسونگ به‌معنای لغو عرضه فرآیند 3GAE است؟ در پاسخ بایستی خاطرنشان کرد که کمپانی احتمالا تصمیم گرفته تا مستقیما به سراغ فرآیند 3GAP برود. با این‌حال سخنگوی سامسونگ بار دیگر تاکید کرد که کمپانی پیرامون فرآیند 3GAE با مشتریان خود مذاکره کرده است. بعلاوه وی ادعا می‌کند که تولید انبوه فرآیند 3GAE در سال 2022 کلید خواهد خورد.

از این منظر عزم سامسونگ برای توسعه فرآیند 3GAE کماکان محتمل‌ترین گزینه به‌نظر می‌رسد؛ اما این موضوع از جانب مشتریان خارجی پذیرفته نشده است. سامسونگ از این فرآیند به‌دلیل هزینه نسبتا بالای آن به‌صورت آزمایشی استفاده کرده و یا آن‌را در تولیدات اختصاصی خود (واحد LSI سامسونگ) به‌کار خواهد بست.

سامسونگ ادعا می‌کند که فرآیند 3GAE در مقایسه با نمونه 7LPP موجب ارتقاء حداکثر 35 درصدی کارآیی یا کاهش میزان مصرف انرژی تا سقف 50 درصد یا کاهش مساحت تراشه تا حداکثر 45 درصد خواهد شد. بعلاوه تولید این فرآیند در سریع‌ترین حالت ممکن در پایان سال 2021 آغاز می‌شد و اکنون این پنجره زمانی به سال 2022 موکول شده است. با این‌حال تولید فرآیند فوق کماکان در برنامه‌های سامسونگ تعریف شده است. شرکت سامسونگ در خصوص میزان برتری فرآیند 3GAP نسبت به 3GAE هیچ‌گونه جزئیات واضحی را ارائه نکرده است.

بعلاوه سامسونگ در نقشه راه خود به ورژن‌های جدیدی از فرآیندهای 5 و 4 نانومتری نیز اشاره نموده است. بدین‌ترتیب در کنار فرآیندهای اولیه 5LPE و 4LPE شاهد اضافه شدن فرآیندهای 5LPP و 4LPP با یکپارچگی و کارآیی بالاتر هستیم. هر 2 فرآیند فوق از لیتوگرافی EUV (ماوراءبنفش بی‌نهایت) پشتیبانی می‌کنند.

به‌نظر می‌رسد که سامسونگ برای کاهش فاصله خود با TSMC به فرآیند 3 نانومتری 3GAE احتیاج دارد. به هرحال 2 کمپانی احتمالا در زمینه به‌کارگیری فرآیند 3 نانومتری رقابت نفس‌گیری با یکدیگر خواهند داشت. بررسی نتایج ثبت شده تا به این لحظه نشان می‌دهد که کمپانی TSMC در این عرصه برتر ظاهر خواهد شد.

نوشته سامسونگ تولید انبوه تراشه‌ با فرآیند 3 نانومتری 3GAP را در سال 2023 آغاز خواهد کرد اولین بار در اخبار فناوری و موبایل پدیدار شد.

گزارش‌ها نشان می‌دهد سامسونگ تغییراتی در نقشه راه تولید تراشه‌ها با لیتوگرافی سه‌نانومتری ایجاد کرده است و می‌خواهد تراشه‌ها را با کمی تأخیر تولید کند.

افشاگری در حساب توییترش نتایج بنچمارک دو تراشه جدید اگزینوس ۲۲۰۰ سامسونگ و اسنپدراگون ۸۹۵ کوالکام را قرار داده و آن‌ها را با یکدیگر مقایسه کرده است.