چیپست بالا رده‌ی شیائومی با فرآیند ۱۶ نانومتری TSMC ساخته خواهد شد
کمپانی شیائومی اخیرا از نخستین چیپست خانگی خود با نام Surging S1 پرده‌برداری کرد که در دسته میان رده‌ها جای گرفته و نخستین بار در محصول میان رده Mi 5C به کار گرفته شد که همزمان با همین چیپ پاینکن معرفی شد.
شیائومی پیش‌ازاین اعلام کرده بود که نسخه پرچم‌دار از چیپ مجتمع پاینکن را با استفاده از فرایند 10 نانومتری تولید خواهد کرد. اما اکنون جزئیات بیشتری از پردازنده Surging S2 منتشر شده که نشان از بهره‌گیری آن از فرایند 16 نانومتری TSMC و معماری هشت هسته‌ای دارد. همچنین از شایعات برمی‌آید که نسخه آزمایشی از این چیپست تولید شده اما تولید انبوه آن توسط شیائومی در یک‌چهارم سوم سال آغاز خواهد شد. در یک‌چهارم پایانی سال هم شاهد معرفی اسمارت فونی از سوی کمپانی، مجهز به این پردازنده خواهیم بود.
پیش‌ازاین به نظر می‌رسید که شیائومی از فرایند 10 نانومتری برای ساخت این چیپست بهره بگیرد اما شیائومی احتمالا به دلیل قیمت بالای این فناوری، تصمیم به استفاده از فرایند 16 نانومتری گرفته است. یقینا هزینه استفاده از این تکنولوژی بالا خواهد بود چراکه نیاز به کوچک‌سازی هسته‌های پردازشی دارد. به‌احتمال فراوان، بازدهی و قدرت پردازنده 16 نانومتری از نوع 10 نانومتری کمتر خواهد بود اما نمی‌توان به‌راحتی از مسائل اقتصادی چشم‌پوشی کرد؛ امری که برای سازندگان اهمیت بالایی دارد.
نوشته چیپست بالا رده‌ی شیائومی با فرآیند 16 نانومتری TSMC ساخته خواهد شد اولین بار در پدیدار شد.
